Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2004 - 200912010 - 20131

Налаштування

Автор: search.filters.author.Севрюкова, Виктория АнатольевнаКлючові слова: search.filters.subject.кремний

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Исследование границ раздела фаз в периодических многослойных структурах Mo/Si с использованием метода масс-спектрометрии нейтральных частиц
    (Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2013) Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Оберемок, А. С.; Мельник, В. П.; Романюк, Б. Н.; Попов, В. Г.; Литвин, П. М.
    Исследованы многослойные периодические структуры Мо/Si методами малоугловой рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии и масс-спектрометрии постионизированных нейтральных частиц. Из спектров дифракции рентгеновских лучей определены скорости нанесения слоёв при различных технологических условиях. Моделирование спектров дифракции многослойных структур и сопоставление их с экспериментальными результатами показали, что на границах раздела фаз формируется силицид молибдена. Измерения распределения примесей по толщине подтвердили наличие слоёв силицида на границе раздела фаз, а также обнаружили слои оксидов; проведены оценки толщин последних. Найдены оптимальные режимы распыления структур при послойном примесном масс-спектрометрическом анализе, которые позволили получить разрешающую способность метода по глубине не хуже 1,0 нм при профилировании до глубины 100 нм. Показано, что разрешение этого метода ограничивается формой и шероховатостью дна кратера при ионном травлении и зависит от энергии ионов плазмы и режимов травления.
  • Ескіз
    Документ
    Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Воронов, Д. Л.; Девизенко, Александр Юрьевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пеньков, А. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
    С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения.