Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2011 - 20182

Налаштування

Автор: search.filters.author.Gullikson, E. M.Ключові слова: search.filters.subject.multilayer X-ray mirror

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Scandium-silicon multilayer X-ray mirrors with CrB2 barrier layers
    (Сумський державний університет, 2018) Pershyn, Yuriy P.; Devizenko, A. Yu.; Zubarev, Evgeniy N.; Kondratenko, Valeriy V.; Voronov, Dmitriy L.; Gullikson, E. M.
    Methods of X-ray reflectometry λ0.154 nm), cross-sectional transmission electron microscopy and re flectometry in the EUV region (λ = 41-51 nm) were used to investigate the barrier properties of CrB2 layers 0.3-1.3 nm thick in Sc/CrB2/Si multilayer X-ray mirrors (MXMs) deposited by DC magnetron sputtering. It is shown that barrier layers of ~ 0.3 nm separate Sc and Si layers completely and prevent interacting the Sc and Si layers. Thinner chromium diboride layers interact with the matrix layers forming interlayers containing mostly ScB2 on the Si-on-Sc interfaces and CrSi2 on the Sc-on-Si ones. Scandium-silicon MXMs with barrier layers on the both interfaces are shown to retain high reflectivity at the wavelength of λ ~ 47 nm.
  • Ескіз
    Документ
    The influence of working gas pressure on interlayer mixing in magnetron-deposited Mo/Si multilayers
    (American Institute of Physics, 2011) Pershyn, Yuriy P.; Gullikson, E. M.; Artyukov, I. A.; Kondratenko, V. V.; Sevryukova, V. A.; Voronov, D. L.; Zubarev, Evgeniy N.; Vinogradov, A. V.
    Impact of Ar gas pressure (1−4 mTorr) on the growth of amorphous interlayers in Mo/Si multilayers deposited by magnetron sputtering was investigated by small-angle x-ray scattering (l=0.154 nm) and methods of cross-sectional transmission electron microscopy. Some reduction of thickness of the amorphous inter-layers with Ar pressure increase was found, while composition of the layers was enriched with molybdenum. The interface modification resulted in raise of EUV reflectance of the Mo/Si multilayers