Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

20182

Налаштування

Автор: search.filters.author.Krivonogov, S. I.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Growth and Structural Characterization of Thermally Evaporated Topological Insulator Bi2Se3 Thin Films
    (NanoCOFC, 2018) Rogachova, E. I.; Fedorov, A. G.; Krivonogov, S. I.; Mateychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.; Garbuz, Alexander G.; Sipatov, A. Yu.
  • Ескіз
    Публікація
    Structure of thermally evaporated bismuth selenide thin films
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2018) Rogacheva, E. I.; Fedorov, A. G.; Krivonogov, S. I.; Mateychenko, P. V.; Dobrotvorskay, M. V.; Garbuz, A. S.; Nashchekina, O. N.; Sipatov, A. Yu.
    The Bi₂Se₃ thin films with thicknesses d = 7-420 nm were grown by thermal evaporation in vacuum of stoichiometric n-Bi₂Se₃ crystals onto heated glass substrates under optimal technological conditions determined by the authors. The growth mechanism, microstructure, and crystal structure of the prepared thin films were studied using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and atomic force microscopy. It was established that the prepared thin films were polycrystalline, with composition close to the stoichiometric one, did not contain any phases apart from Bi₂Se₃, were of a high structural quality, and the preferential growth direction [001] corresponded to the direction of a trigonal axis C₃ in a hexagonal lattice. The films, like the initial crystal, exhibited n-type conductivity. It was shown that with increasing film thickness, the grain size and the film roughness remain practically the same at thicknesses d < 100 nm, and after that increase, reaching their saturation values at d ~ 300 nm. It follows from the results obtained in this work that using the method of thermal evaporation in vacuum from a single source, one can prepare thin n-Bi₂Se₃ films of a sufficiently high structural quality with a composition close to the stoichiometric one and the preferential growth orientation.