Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp
Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.
Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.
Переглянути
6 результатів
Результати пошуку
Публікація Size effects and thermoelectric properties of Bi0.98Sb0.02 thin films(Institute of Thermoelectricity National Academy of Sciences of Ukraine, 2020) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Orlova, D. S.; Nashchekina, O. N.; Sipatov, A. Yu.; Lisachuk, G. V.The room-temperature dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electrical conductivity σ, the Hall coefficient RH, and the thermoelectric power factor P = S2·σ) on the thickness (d = 5 - 250 nm) of the Bi0.98Sb0.02 solid solution thin films grown on mica substrates by thermal evaporation in vacuum from a single source were obtained. It is shown that the monotonic component of the σ(d) dependence is well described within the framework of the Fuchs-Sondheimer theory for the classical size effect. The presence of an oscillating component in the d-dependences of σ, S, RH and S2·σ is attributed to the manifestation of the quantum size effect, and the experimentally determined period of quantum oscillations Δd = 45 ± 5 nm is in good agreement with the Δd value calculated theoretically within the framework of the model of an infinitely deep potential well. Bibl. 77, Fig. 1.Публікація Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films(Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.Документ Hydrogen Storage in VNx-Hy Thin Films(Open Access Library Inc., 2015) Bryk, Viktor; Guglya, Aleksey; Kalchenko, Aleksandr; Marchenko, Ivan; Marchenko, Yuriy; Solopikhina (Melnikova), Elena; Vlasov, Victor; Zubarev, Evgeniy N.Vanadium or its alloy-based hydrides are intensively studied at the moment with regard to their use as hydrogen absorbents. Most experiments were carried out using “bulk” materials. This paper uses ion beam-assisted deposition technology (IBAD) to create thin-film nanocrystalline VNx-Hy hydrogen storages. The transmission electron microscopy and scanning electron microscopy were used to study the initial stages of the film formation. The main mechanisms of the for mation of intergranular pores in nanogranular structures have been established. The interrelation of the parameters of the IBAD and those of film structure has been shown. The obtained data allowed for the explanation of the mechanisms of hydrogen absorption and desorption by thin films. It was shown that the availability of branched network of intergranular pores allows VNx-Hy structures to accumulate hydrogen within a few minutes at a pressure of 0.5 MPa. Hydrogen in amount of up to 2.55 wt% is retained in the films of 3 μm thick at room temperature and atmos pheric pressure. The hydrogen desorption starts at 100˚CДокумент Влияние газовых молекул из атмосферы на абсорбцию водорода нанокристаллическими пористыми (V, 10 ат.% Ti)Nx пленками(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Власов, В. В.; Гугля, А. Г.; Марченко, Ю. А.; Солопихина, Е. С.; Зубарев, Евгений НиколаевичВ работе на примере нанокристаллического тонкоплёночного нитрида ва надия (V, 10 ат.% Ti)Nx исследованы закономерности влияния газовых молекул из остаточной атмосферы внутри вакуумной камеры на термодинамические и гравиметрические характеристики пористых абсорбентов водорода. Показано, что открытая пористая структура нанокристаллических тонких плёнок активно абсорбирует не только молекулы водорода, но и более крупные молекулы. Насыщение водородом при 20⁰С приводит к тому, что достаточно большая доля газовых молекул из остаточной а мосферы оказывается заблокированной внутри пор. Вследствие этого уменьшается абсорбционная ёмкость материала (не более 3 вес.%) и повышается температура десорбции водорода (500⁰С). Высокотемпературная активация нанопористой структуры и насыщение водородом при температуре 250⁰С способствуют понижению температуры десорбции до 275⁰С и увеличению гравиметрической ёмкости до 7 вес.%.Документ Класичний розмірний ефект у плівках Bi2(Te0.9Se0.1)3(Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Саєнко, С. О.; Сіпатов, Олександр Юрійович; Меньшов, Юрій ВалентиновичДокумент Structure and phase formation features of Ti-Zr-Ni quasicrystalline films under heating(Sumy State University, 2019) Malykhin, S. V.; Kondratenko, V. V.; Kopylets, I. A. ; Surovitskiy, S. V.; Baturin, A. A.; Mikhailov, I. F.; Reshetnyak, M. V.; Borisova, S. S.; Bogdanov, Yu. S.The paper describes the growth features of thin Ti-Zr-Ni films prepared by the method of magnetron sputtering of the targets with compositions Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈ and Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ on the substrates at 300 K with subsequent annealing in vacuum. The formation peculiarities of phase composition, structure and thermal stability of quasicrystalline thin films were studied. It was established that in initial state the films were X-ray-amorphous or nanocrystalline with coherence lengths (according to Scherrer) near 1.6-1.8 nm independently on the element composition of the sputtered target. This structure is relatively stable up to the temperature 673 K when the formation of the quasi-crystalline phase begins. In the films with composition of Ti₅₃Zr₃₀Ni₁₈. It is added with an admixture of the 1/1 W-crystal approximant phase. In the films with Ti₄₁Zr₃₈.₃Ni₂₀.₇ composition, an optimal annealing temperature is between 823 K and 873 K. Additionally, for the first time, the data on the formation of 2/1 approximant crystal as an admixture phase in this system were obtained. Under annealing at the temperatures higher than 873 K, the decomposition of the quasi-crystalline and approximant phases into crystalline phases stable at higher temperatures according to the equilibrium phase diagram was established.