Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2001 - 200912010 - 20182

Налаштування

Містить файли: ТакКлючові слова: search.filters.subject.multilayer

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Structure, thermal stability and reflectivity of Sc/Si and Sc/W/Si/W multilayer X-ray mirrors
    (SPIE, 2001) Vinogradov, A. V.; Pershin, Yu. P.; Zubarev, Evgeniy N.; Voronov, D. L.; Pen’kov, A. V.; Kondratenko, V. V.; Uspenskii, Yu. A.; Artioukov, I. A.; Seely, J. F.
    Processes going on at elevated temperatures between Sc and Si layers in Sc/Si coatings are studied by X-ray scattering and cross-sectional transmission electron microscopy. It is shown that the W layers of 0.5-0.8nm placed at Sc-Si interfaces form effective barriers preventing the penetration of Si into Sc. The effects of Si-Sc diffusion and W-barriers on the reflectivity of coatings are calculated in good agreement with experimental results. Presented measurements show that the Sc/W/Si/W multilayers with the period of 20.5 nm fabricated by dc-magnetron sputtering possess thermal stability up to 250 C and the normal incidence reflectivity of 24% at wavelengths about 40 nm.
  • Ескіз
    Документ
    Structure and mechanical stresses in TaSi 2 /Si multilayer
    (STC "Institute for Single Crystals", 2018) Devizenko, A. Yu.; Kopylets, I. A.; Kondratenko, V. V.; Pershyn, Yuriy P.; Zubarev, Evgeniy N.; Savitskiy, B. A.; Devizenko, I. Y.
  • Ескіз
    Документ
    Structural transformation in C/Si multilayer after annealing
    (Научный центр физических технологий МОН Украины; НАН Украины, 2012) Zhuravel, I. O.; Bugayev, Ye. A.; Konotopsky, L. E.; Zubarev, E. M.; Sevryukova, V. A.; Kondratenko, V. V.
    Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.