Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб виготовлення багатошарових рентгенівських дзеркал
    (ДП "Український інститут промислової власності", 2011) Першин, Юрій Павлович; Севрюкова, Вікторія Анатоліївна; Зубарєв, Євгеній Миколайович; Кондратенко, Валерій Володимирович
    Спосіб виготовлення багатошарових рентгенівських дзеркал, який полягає у вакуумуванні установки, напуску розпиляючого газу до робочого тиску, подачі напруги на мішені, які розпиляються, для підпалу розрядів і почерговому нанесенні шарів двох або більше речовин на підкладку, який відрізняється тим, що при нанесенні шарів робочий тиск і відстань мішень-підкладка вибирають так, щоб їх добуток знаходився в межах від 3 до 20Па×мм. 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що робочий тиск розпиляючого газу змінюють в межах від 0,1 до 0,5Па при фіксованій відстані мішень-підкладка. 3. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що відстань між мішенню і підкладкою вибирають в межах від 0,5 до 2 довжин вільного пробігу атомів газу при фіксованому тиску розпиляючого газу.
  • Ескіз
    Документ
    Structure, thermal stability and reflectivity of Sc/Si and Sc/W/Si/W multilayer X-ray mirrors
    (SPIE, 2001) Vinogradov, A. V.; Pershin, Yu. P.; Zubarev, Evgeniy N.; Voronov, D. L.; Pen’kov, A. V.; Kondratenko, V. V.; Uspenskii, Yu. A.; Artioukov, I. A.; Seely, J. F.
    Processes going on at elevated temperatures between Sc and Si layers in Sc/Si coatings are studied by X-ray scattering and cross-sectional transmission electron microscopy. It is shown that the W layers of 0.5-0.8nm placed at Sc-Si interfaces form effective barriers preventing the penetration of Si into Sc. The effects of Si-Sc diffusion and W-barriers on the reflectivity of coatings are calculated in good agreement with experimental results. Presented measurements show that the Sc/W/Si/W multilayers with the period of 20.5 nm fabricated by dc-magnetron sputtering possess thermal stability up to 250 C and the normal incidence reflectivity of 24% at wavelengths about 40 nm.