Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
16 результатів
Результати пошуку
Документ Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения(Наука, 2016) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Мягченко, Юрий Александрович; Мельничук, Е. Е.Показана возможность создания высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка недорогим и приспособленным для крупномасштабного производства методом импульсного электроосаждения из водных растворов без использования каких-либо водоотталкивающих покрытий. Определены условия осаждения высокогидрофобных наноструктурированных слоев оксида цинка, проявляющих "эффект лепестка розы", с определенными морфологией, оптическими свойствами, кристаллической структурой и текстурой. Изготовленные нами наноструктуры ZnO являются перспективным для микро- и наноэлектроники адаптивным материалом, способным под воздействием ультрафиолетового облучения обратимо переходить в гидрофильное состояние.Документ Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди(Наука, 2018) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Любов, Виктор Николаевич; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Максим ГеннадиевичВ качестве основы перспективной конструкции обращенного диода сформирована гетероструктура на базе массива наностержней оксида цинка и наноструктурированной пленки иодида меди. Проведено исследование влияния режимов осаждения методом SILAR и последующего иодирования пленок CuI на гладких подложках из стекла, слюды и FTO, а также на поверхности электроосажденных наноструктурированных массивов оксида цинка, на их структуру, электрические и оптические свойства. Выявлена связь изменений, наблюдаемых в структуре и свойствах этого материала, с имеющимися в нем изначально и создаваемыми в процессе иодирования точечными дефектами. Обнаружено, что причиной и условием формирования гетероструктуры обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди является формирование вырожденного полупроводника p+-CuI путем избыточного иодирования слоев этого наноструктурированного материала через его развитую поверхность. Впервые изготовлена барьерная гетероструктура n-ZnO/p+-CuI с вольт-амперной характеристикой обращенного диода, коэффициент кривизны которой γ = 12 В−1 подтверждает ее добротность.Документ Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения(Наука, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.Документ Фазовые превращения при металлизации Ag−In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов(Наука, 2013) Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Момотенко, Александра Витальевна; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А.Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p−n-переходами с помощью припоя системы Ag−In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400◦C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1 : 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg3 (или InAg3 с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700◦C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения.Документ Кестеритные слои, полученные сульфуризацией электроосажденных металлических прекурсоров(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман ВалентиновичИсследованы фазовый состав, кристаллическая структура и морфология поверхности электрохимически осажденных стопок из пленок меди, олова и цинка в качестве металлических прекурсоров. Выполнен подбор оптимальных последовательностей чередования металлических пленок в прекурсорах и атомных соотношений компонентов электроосажденных прекурсоров, обеспечивающих максимальное содержание и приемлемые структурные параметры кристаллической фазы кестерита в слоях, синтезированных в процессе сульфуризации. Представлены результаты синтеза кестеритных слоев путем сульфуризации прекурсоров. Методом количественного рентген-дифрактометрического анализа определено содержание кестерита Cu₂ZnSnS₄ в синтезированных слоях. Исследованы оптические свойства синтезированного образца, содержащего 85 % фазы кестерита. Показаны направления усовершенствования предлагаемой технологии с целью создания базовых кестеритных слоев для перспективных эффективных, дешевых и доступных солнечных элементов нового поколения.Документ Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова(Сумський державний університет, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман ВалентиновичРабота посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.Документ Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe(Наука, 2011) Хрипунов, Геннадий Семенович; Копач, Владимир Романович; Мериуц, Андрей Владимирович; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Дейнеко, Наталья ВикторовнаЭффект хранения в течение 48 месяцев и субпоследовательное действие напряжения прямой полярности на КПД тонкопленочных солнечных элементов с исходным n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au слоистую структуру изучали методами токовольтажные и емкостные характеристики. На основе этих результатов улучшена физическая модель такого типа солнечных батарей деградация клеток под действием указанных факторов. Условия, обеспечивающие частичное восстановление солнечных элементов эффективность после их деградации под действием прямого вытеснения напряжение n−p гетероперехода меньше напряжения холостого хода солнечных батарей определяются экспериментально.Документ Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей(Астропринт, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.Документ Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе(Наука, 2017) Копач, Владимир Романович; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.Исследованы структура, морфология поверхности и оптические свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO, а также осажденных из коллоидных растворов наночастиц Ag и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе. По результатам исследований вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик проведен анализ электронных и электрических параметров массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag. Определены оптимальные режимы изготовления стабильных и высокочувствительных по отношению к ультрафиолетовому излучению гетероструктур ZnO/Ag в качестве перспективных материалов фотодетекторов, газовых датчиков и фотокатализаторов.Документ Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди(Наука, 2017) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Волкова, Неонила Дмитриевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление, последовательное сопротивление, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода 8 = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения составили для механизма рекомбинации и туннельного переноса и для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.