Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей
Дата
2007
DOI
doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114167
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Астропринт
Анотація
Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.
The investigated values of solar cells (SC) output and diode parameters made on the basis of and n-type of conductivity silicon base crystals with a thickness from 190 to 375 μm are presented. By comparison of SC output and diode parameters with base crystals of various thickness and type of conductivity the expediency of high efficiency Ukrainian SC creation for terrestrial application with the single crystals of n- type conductivity and thickness no more then 190-200 μm is grounded.
The investigated values of solar cells (SC) output and diode parameters made on the basis of and n-type of conductivity silicon base crystals with a thickness from 190 to 375 μm are presented. By comparison of SC output and diode parameters with base crystals of various thickness and type of conductivity the expediency of high efficiency Ukrainian SC creation for terrestrial application with the single crystals of n- type conductivity and thickness no more then 190-200 μm is grounded.
Опис
Ключові слова
электрическая энергия, напряжение, коэффициент полезного действия, кремний, диоды, solar cells, silicon base crystals, type of conductivity, thickness, parameters
Бібліографічний опис
Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей / М. В. Кириченко [и др.] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології = Sensor electronics and microsystem technologies. – 2007. – № 4. – С. 54-58.