Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
16 результатів
Результати пошуку
Документ Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.Документ Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаИсследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час- тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер- дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.Документ Поверхностные состояния электронов на неоднородной поверхности твердых тел(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаОпределен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверх- решеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного поля. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Взаимодействие магнитоплазменных колебаний с источниками электромагнитного излучения(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь ВладимировичПриведены дисперсионные соотношения для поверхностных магнитоплазменных волн на границе раздела сред вакуум-полупроводник, показаны условия возникновения, особенности распространения и спектральные характеристики поверхностных геликонов. Исследованы механизмы взаимодействия поверхностных геликонов с источниками электромагнитного излучения (заряженной частицей, магнитным диполем). Определены потери энергии этих источников на их возбуждение и проведен сравнительный анализ эффективности возбуждения объемных и поверхностных геликонов. В рамках квантовомеханических представлений получено кинетическое уравнение для геликонов, изменение числа которых обусловлено взаимодействием с электронами проводимости.Документ Возбуждение геликонов в полупроводниковых структурах в условиях воздействия ЭМИ(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь ВладимировичНастоящая работа связана с изучением особенностей возбуждения магнитоплазменных колебаний распространяющихся под углом к параллельному границе постоянному магнитному полю. Среди такого типа колебаний особое место занимают поверхностные геликоны. Полученные в данной работе результаты исследований взаимодействия поверхностных геликонов с движущимися вдоль границы источниками электромагнитного излучения, открывают новые возможности регистрации медленных магнитоплазменных волн в условиях воздействия внешнего ЭМИ. В основе механизма преобразования кинетической энергии источника в электромагнитное излучение лежит резонансное взаимодействие заряженной частицы с полем монохроматической волны.Документ Поверхностные плазменные волны на неоднородной границе полупроводника(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределен спектр собственных электромагнитных колебаний неоднородного плазменного слоя, возникающего на границе проводящих твердых тел , малые неровности которых имеют периодический (статистический) характер. Показано, что наличие поверхностных электронных состояний приводит к появлению поверхностных поляритонов, закон дисперсии которых отличается от закона дисперсии поляритонов, распространяющихся вдоль гладкой поверхности плазмы. Неоднородность плазмы вблизи поверхности приводит к появлению пространственной дисперсии поверхностных электростатических колебаний, их фазовая скорость меньше фазовой скорости поляритонов, распространяющихся вдоль гладкой поверхности полупроводниковой плазмы.Документ Эталон единицы максимального значения больших импульсных токов(НТУ "ХПИ", 2009) Немченко, Юрий Семенович; Князев, Владимир Владимирович; Лесной, Иван Петрович; Кравченко, Владимир ИвановичДля метрологічної атестації і повірки засобів вимірювання великих імпульсних струмів створено джерело стабільних імпульсів струму на базі раніше розробленого і введеного в експлуатацію Еталону імпульсного електромагнітного поля (Еталон РЕМП). Виміряно імпульси струму в елементах Еталону (від 20 A до 1000 А) за допомогою штатного вбудованого зразкового коаксіального вимірювального шунта ШК-50 і експериментально доведено, що форми імпульсів струму й імпульсів електромагнітного поля в Еталоні співпадають, що доводить правильність обраної структури Еталону імпульсів великого струму.Документ Переходное излучение токов, наведенных внешним излучением, на неоднородных границах раздела сред(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь ВладимировичУстановлено, что наличие малых пространственных периодических неровностей на границе вакуум - идеальный проводник приводит к резонансному взаимодействию пространственных гармоник, распространяющихся вдоль поверхности, что обуславливает появление полосы непропускания колебаний. Для частот, лежащих ниже полосы непропускания электромагнитные колебания носят поверхностный характер. В работе определен закон дисперсии такого рода колебаний и кинетические механизмы их возбуждения электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Получено кинетическое уравнение, определяющее изменение числа поверхностных колебаний, приведено выражение для инкремента.Документ Излучение наведенных токов с неоднородным потенциалом на границе(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе исследовалось влияние потенциального барьера на спектральную плотность энергии переходного излучения объемных и поверхностных волн заряженной частицей, которая движется по нормали к границе раздела сред с различными диэлектрическими проницаемостями. Было получено выражения для спектральных характеристик интенсивностей излучения электромагнитных волн для различных типов потенциальных барьеров: прямоугольная потенциальная стенка, барьер конечной ширины и δ-подобный барьер. Определено, что поле излучения состоит из трех составляющих: первая обусловлена изменением диэлектрической проницаемости и существует без потенциального барьера, вторая связана с изменением скорости частицы без учета отражения частиц от границы, третья составляющая определяет долю излучения, связанную с волной де-Бройля, отраженной от границы.