Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
53 результатів
Результати пошуку
Документ Автоматизация процесса мониторинга и анализа внешней электромагнитной обстановки на основе использования детекторной искусственной нейронной сети(ФОП Петров В. В., 2017) Паржин, Юрий Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Князев, Владимир Владимирович; Серков, Александр АнатольевичВ статье рассмотрено применение детекторной нейронной сети (ДИНС) для распознавания параметров фронта электромагнитного импульса грозового разряда в автоматизированной системе мониторинга и анализа внешней электромагнитной обстановки. ДИНС в результате эмуляции активного перцептивного акта восприятия изображения и эмуляции процедуры встречного обучения позволяет не только выделить фронт импульса в структуре осциллографического изображения, но и запомнить измеряемые параметры распознанного сегмента изображения в концепте нейрона-детектора. Это дает возможность уменьшить ошибки измерений и увеличить скорость обработки сигналов по сравнению с рассматриваемым методом интерактивного анализа характеристик электромагнитных помех.Документ Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.Документ Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаИсследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час- тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер- дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.Документ Поверхностные состояния электронов на неоднородной поверхности твердых тел(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаОпределен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверх- решеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного поля. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Возбуждение колебаний двумерного электронного слоя токами, наведенными внешним излучением(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичПостороена теория взаимодействия потока заряженных частиц с плазмонами, которые существуют в двумерном электронном 2D газе на границе раздела сред с различными электромагнитными свойствами. Предполагается, что электроны в потоке, пересекающем область локализации двумерного электронного слоя, представляют собой волновой пакет, энергия которого мала по сравнению с энергией плазмона. Поэтому взаимодействие плазмонов и электронов описываются в рамках квантово-механического подхода. Подобное взаимодействие приводит к трансформации энергии наведенных токов в энергию колебаний двумерного слоя, т.е их неустойчивости. В работе определены инкременты неустойчивостей такого рода. Показана возможность использования полученных результатов при оценке работоспособности радиоизделий в услови/ях воздействия внешнего электромагнитного излучения/Документ Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Возбуждение собственных электромагнитных колебаний полупроводниковой сверхрешетки наведенными токами, при воздействии стороннего электромагнитного излучения(НТУ "ХПИ", 2007) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Яковенко, В. И.; Лосев, Федор ВладимировичВизначено механізми виникнення нестійкостей власних коливань напівпровідникових надграт, обумовлених їх взаємодією з потоками заряджений частинок в умовах дії стороннього ЕМВ. Показано, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на електровироби часто супроводжується виникненням струмів у провідних елементах ЕРВ і утворенням їх внутрішніх полів.Документ Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов(НТУ "ХПИ", 2007) Кравченко, Владимир Иванович; Дныщенко, Владимир Николаевич; Гирка, Юлия Николаевна; Лосев, Федор Владимирович; Яковенко, Игорь ВладимировичЕкспериментально доведено, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на напівпровідникові прилади (кремнієві діоди) супроводжується відхиленням їх вольт-амперних характеристик (появою зворотних відказів). Показано, що такого роду зміни робочих характеристик приладів пов'язано з генерацією власних електромагнітних коливань напівпровідникових комплектуючих приладів при їх взаємодії з токами, наведеними зовнішнім випромінюванням.Документ Высоковольтный сильноточный трехэлектродный каскадный воздушный разрядник генератора тока искусственной молнии(НТУ "ХПИ", 2008) Баранов, Михаил Иванович; Колиушко, Георгий Михайлович; Кравченко, Владимир Иванович; Недзельский, Олег Саввич; Носенко, М. А.Описано конструкцію й технічні характеристики створеного високовольтного сильнострумного трьохелектродного каскадного повітряного розрядника атмосферного тиску, який використовувався у складі потужних генераторів імпульсної A і повторної імпульсної D складових повного струму штучної блискавки.Документ Взаимодействие магнитоплазменных колебаний с источниками электромагнитного излучения(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь ВладимировичПриведены дисперсионные соотношения для поверхностных магнитоплазменных волн на границе раздела сред вакуум-полупроводник, показаны условия возникновения, особенности распространения и спектральные характеристики поверхностных геликонов. Исследованы механизмы взаимодействия поверхностных геликонов с источниками электромагнитного излучения (заряженной частицей, магнитным диполем). Определены потери энергии этих источников на их возбуждение и проведен сравнительный анализ эффективности возбуждения объемных и поверхностных геликонов. В рамках квантовомеханических представлений получено кинетическое уравнение для геликонов, изменение числа которых обусловлено взаимодействием с электронами проводимости.