Кафедри

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 67
  • Ескіз
    Документ
    Застосування плівок йодиду міді і оксиду цинку для термоелектричного перетворення інфрачервоної складової сонячного випромінювання
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Жадан, Дмитро Олегович; Клочко, Наталя Петрівна; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Петрушенко, Сергій Іванович; Дукаров, Сергій Валентинович; Любов, Віктор Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунова , А. Л.; Бігас , С. П.; Костюченко , Є. Р.
  • Ескіз
    Документ
    Фізика напівпровідникових приладів
    (2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
    Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
  • Ескіз
    Документ
    Квантова електроніка
    (ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
    Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.
  • Ескіз
    Документ
    Накопичувач енергії для генератора надкоротких імпульсів
    (ТОВ "Друкарня Мадрид", 2020) Шкода, Дмитро Сергійович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Зайцев, Роман Валентинович
  • Ескіз
    Документ
    Тестування системи керування генератором надкоротких імпульсів
    (ТОВ "Друкарня Мадрид", 2020) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Зайцева, Лілія Василівна
  • Ескіз
    Документ
    Створення тонкоплівкової композиції для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
    Створено тонкоплівкову композицію для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром шляхом застосування двох недорогих і придатних для широкомасштабного виробництва рідиннофазних методів, а саме електроосадження і методу послідовної абсорбції і реакції іонних шарів. Вивчено структуру і оптичні властивості окремих шарів, досліджено електричні властивості гетероструктури Mo/р-Cu₂ZnSnS₄/n-ZnS/Al.
  • Ескіз
    Документ
    Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
    З метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.
  • Ескіз
    Документ
    Використання електрохімічного і гідрохімічного методів для виготовлення напівпрозорого сонячного елемента на основі гетеропереходу р-NiO/n-ZnO
    (Рік-У, 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
  • Ескіз
    Документ
    Кристалічна структура, оптичні, електричні та термоелектричні властивості плівок ZnO і ZnO:In, виготовлених методом SILAR
    (Рік-У, 2018) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
  • Ескіз
    Документ
    Зміна параметрів монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів під дією неоднорідного магнітного поля
    (Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Самофалов, Володимир Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович