Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS
Loading...
Date
item.page.orcid
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Abstract
In order to create a new design of the solar cell (SC) with nanostructured one-dimensional (1-D) ZnO layer sensitized by quantum dots (QDs) SnS, we used pulsed electrodeposition of 1-D ZnO arrays. The application of SnS quantum dots and wide bandgap semiconductor p-CuSCN thin film have been made by a liquid-phase Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method,. The work investigated morphology, structure and optical properties of the semiconductor layers and demonstrated diode characteristics of a new design SE on QDs we have developed, that confirmed its functionality.
Description
Citation
Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS / Н. П. Клочко [та ін.] // Електротехніка і Електромеханіка. – 2016. – Т. 4, № 2. – С. 16-20.