Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
21 результатів
Результати пошуку
Документ Зміна параметрів монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів під дією неоднорідного магнітного поля(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Самофалов, Володимир Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій СеменовичДокумент Мінімізація кутової залежності вихідних параметрів вертикальних діодних комірок для багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Панін, А. І.; Хрипунов, Геннадій СеменовичДокумент Фотоенергетичний модуль нової генерації(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Сокол, Євген Іванович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Меріуц, Андрій ВолодимировичДокумент Виготовлення плівкової композиції ZnО/SnS/CuSCN для сонячного елемента з надтонким абсорбером(ПП Щербатих О. В., 2016) Лук'янова, О. В.; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрівна; Корсун, Валерія Євгеніївна; Любов, Віктор Миколайович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичДокумент Моделювання вихідних параметрів кремнієвих фотоперетворювачів з базовими кристалами і-типу провідності(Сумський державний університет, 2014) Кіріченко, Михайло ВалерійовичПроведено експериментальне дослідження та моделювання із використанням програми PC1D вихідних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію і-типу електропровідності. Встановлено, що використання базових кристалів і-типу електропровідності в умовах опромінення АМ0 дозволяє отримувати рекордно високі значення густини фотоструму, котрі сягають 48,6 мА/см². Проте їх коефіцієнт корисної дії не перевищує 11,6 %. Для розробки фізично обґрунтованого підходу до оптимізації конструктивно-технологічних рішень проаналізовано електронну модель кремнієвого фотоелектричного перетворювача з p⁺-i-n⁺ структурою. В ході апробації моделі було одержано серію діаграм розподілу значень коефіцієнта корисної дії досліджуваних фотоелектричних перетворювачів з p⁺-i-n⁺ структурою залежно від значень послідовного і шунтувального опорів при густині діодного струму насичення 10⁻⁷ А/см², 10⁻⁸ А/см2 та 10⁻⁹ А/см². Наявність таких діаграм при проведенні розробки високоефективних фотоперетворювачів зазначеного типу дозволить не тільки суттєво зменшити витрати на пошукові дослідження, але й забезпечить досягнення необхідного у кожному конкретному випадку оптимального співвідношення між витратами на покращення діодної структури та підвищеним рівнем коефіцієнта корисної дії таких приладів.Документ Залежність ефективності роботи кремнієвих фотоелектричнихперетворювачів від впливу стаціонарного магнітного поля(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2012) Лук'янова, Г. О.; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир РомановичДокумент Еволюція часу життя нерівноважних носіїв заряду в кремнієвих фотоелектричних перетворювачах під дією магнітного поля(Ужгородський науково-технологічний центр МОНІ ІПРІ НАН України, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичДокумент Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман ВалентиновичДокумент Налаштування і апробація світлодіодно-галогенового освітлювача як імітатора сонячного випромінювання для атестації фотоелектричних перетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2011) Кіндяков, С. В.; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичДокумент Сенсори для систем оптичної локації на основі багатоперехідних кремнієвих фотоперетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Куца, Н. В.; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »