Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів

Ескіз

Дата

2010

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"

Анотація

Опис

Ключові слова

напівпровідникові прилади, електрична енергія, метод Чохральського, фізичні реакції, хімічні реакції

Бібліографічний опис

Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів / Г. М. Дорошенко [та ін.] // IV Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 2010 р. / Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – С. 100-101.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в