Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
Дата
2010
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
Опис
Ключові слова
напівпровідникові прилади, електрична енергія, метод Чохральського, фізичні реакції, хімічні реакції
Бібліографічний опис
Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів / Г. М. Дорошенко [та ін.] // IV Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 2010 р. / Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – С. 100-101.