Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів

Ескіз

Дата

2010

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"

Анотація

Опис

Ключові слова

напівпровідникові прилади, електрична енергія, метод Чохральського, фізичні реакції, хімічні реакції

Бібліографічний опис

Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів / Г. М. Дорошенко [та ін.] // IV Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 2010 р. / Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – С. 100-101.

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced