Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
Дата
2010
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"
Анотація
Опис
Ключові слова
напівпровідникові прилади, електрична енергія, метод Чохральського, фізичні реакції, хімічні реакції
Бібліографічний опис
Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів / Г. М. Дорошенко [та ін.] // IV Міжнародна науково-практична студентська конференція магістрантів : матеріали конф., 2010 р. / Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т" [та ін.]. – Харків : НТУ "ХПІ", 2010. – С. 100-101.