Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
6 результатів
Результати пошуку
Документ Основные особенности полировки изделий с тонкими нитрид титановыми покрытиями(НТУ "ХПИ", 2010) Михайлов, Антон Игоревич; Михайлова, Е. А.В данной работе рассмотрены особенности формирования поверхностного слоя вакуумных ионно-плазменных покрытий для изделий машиностроения. Установлены связи между толщиной покрытия и параметрами шероховатости поверхностей основы и покрытия. Это дает возможность проектировать необходимую структуру операций технологического процесса до и после нанесения покрытия на поверхности изделия, а также обеспечивать необходимые параметры качества поверхностей в зависимости от видов связей.Документ Рентгенофлуоресцентный анализ следов йода в моче(Інститут медичної радіології ім. С. П. Григор'єва НАМН України, 2015) Михайлов, Игорь Федорович; Будрейко, Елена Анатольевна; Батурин, Алексей Анатольевич; Шляхова, Наталия Васильевна; Михайлов, Антон Игоревич; Борисова, Светлана Серафимовна; Решетняк, Максим Вячеславович; Галата, Дарья ИгоревнаРазработка нового метода рентгенофлуоресцентного анализа (РФА) для определения содержания следов йода в моче в диапазоне концентраций 50–200 мкг/дм³ (0,05 ÷ 0,2 ppm). Методом РФА проведено определение концентрации йода в моче у 35 детей 10–15 лет с эндокринной патологией (задержка полового развития, диффузный зоб, ожирение) и 10 практически здоровых, находившихся под наблюдением в условиях консультативной поликлиники и отделения эндокринологии ГУ "ИОЗДП НАМН Украины". Предложенный оптимизированный метод РФА позволяет на 1–2 порядка повысить чувствительность определения микроэлементов в биологических объектах и добиться определения содержания следов йода в моче в диапазоне концентраций 50–200 мкг/дм³.Документ Определение содержания легких элементов по совмещенным спектрам рентгеновской флуоресценции и дифракции(Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2013) Михайлов, Игорь Федорович; Батурин, Алексей Анатольевич; Михайлов, Антон Игоревич; Фомина, Лариса ПетровнаРазработан метод анализа материалов по совмещенным спектрам рентгеновской флуоресценции и дифракции. На примере стандартных образцов низколегированных сталей показано, что специально рассчитанная рентгенооптическая схема с вторичной мишенью позволяет уменьшить до Х = 5…6 мм расстояние от образца до детектора и получить структурные отражения контролируемых фаз (цементита и феррита) в участках рентгенофлуоресцентного спектра, свободных от аналитических линий исследуемого образца. Это дает возможность производить количественный фазовый анализ содержания цементита (Fe3C) по интенсивности структурных отражений, а по его результатам определять содержание углерода в стали. Все остальные элементы определяются по интенсивности линий флуоресценции, при этом за счет малого расстояния Х пределы обнаружения легких элементов в сталях, бронзах и алюминиевых сплавах, полученные на портативном безвакуумном анализаторе, близки к значениям для мощных вакуумных приборов РФА.Документ Источник монохроматического рентгеновского излучения на основе двухступенчатого вторичного излучателя(Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2012) Мамалуй, Андрей Александрович; Батурин, Алексей Анатольевич; Михайлов, Антон ИгоревичТеоретически рассчитан и экспериментально разработан источник монохроматического рентгеновского излучения на основе двухступенчатого вторичного излучателя Mo-Cu (secondary target) для трубок с анодом прострельного типа. Экспериментально исследованы диаграмма направленности и контрастность спектра выходящего излучения. Установлено, что двухступенчатый вторичный излучатель позволяет получить 20…50-кратный выигрыш в контрастности выходящего спектра по сравнению с одноступенчатым. Спектры рентгеновской флуоресценции стандартного образца алюминиевого сплава (СО1 AL), полученные с помощью двухступенчатого вторичного излучателя, по контрастности в 6 раз превосходят схему с фильтрацией первичного излучения и в 2 раза – схему с одноступенчатым вторичным излучателем.Документ Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны(Сумский государственный университет, 2010) Мамалуй, Андрей Александрович; Фомина, Лариса Петровна; Михайлов, Антон ИгоревичПредложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм. с точностью 10 мкм.Документ Рентгеновские методы анализа состава материалов(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Михайлов, Игорь Федорович; Батурин, Алексей Анатольевич; Михайлов, Антон ИгоревичВ монографии представлены комплексные методы рентгеновского анализа состава материалов, основанные на измерении интенсивности флуоресценции, рассеяния и дифракционных отражений. Предложен общий подход к оптимизации рентгеновских спектров по критерию предела обнаружения, который положен в основу разработки рентгенооптических схем. Представлены результаты исследований структуры и рентгенооптических характеристик новых кристаллов-анализаторов из фуллерита и многослойных рентгеновских зеркал. Книга может быть полезна для специалистов по рентгеновским исследованиям материалов, а также для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.