Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
5 результатів
Результати пошуку
Документ Фізика напівпровідникових приладів(2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія ОлександрівнаОскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.Документ Квантова електроніка(ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло ВалерійовичКвантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.Документ Система відбору потужності на основі підвищувальних перетворювачів для фотоелектричної станції(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мінакова, Ксенія ОлександрівнаСистема відбору потужності фотоелектричної станції складається з елементів, що здійснюють відбір потужності від ФЕМ і елемента для перетворення постійного струму, що генерується ФЕМ у електроенергію промислової частоти. Відбір потужності від ФЕМ здійснюється набором підвищувальних перетворювачів, які збільшують генеровану ФЕМ постійну напругу до значень 600-700В, підвищувальні перетворювачі виконані за резонансною схемою з цифровим керуванням реалізацією алгоритму стеження за точкою максимальної потужності ФЕМ під керуванням мікроконтролера та об'єднані в інформаційну мережу для моніторингу параметрів ФЕМ і самодіагностики, підвищувальні перетворювачі скомутовані паралельно для забезпечення можливості безперебійної роботи системи в разі відмови одного або декількох ФЕМ, а для перетворення генерованої ФЕМ постійної напруги, в електроенергію промислової частоти масив послідовно з'єднаних мікроінверторів замінений на потужний інвертор промислового класу з можливістю зовнішнього керування.Документ Аналіз ефективності схем активного балансування акумуляторних батарей(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Стисло, Богдан Олександрович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Єресько, Олександр В'ячеславовичВ роботі виконано огляд існуючих схемних рішень пристроїв для балансування акумуляторних батарей. Описано принцип балансування на основі ємнісного та індуктивного буферного елемента. Показано особливості їх роботи і основні розрахунки кожного з типів пристроїв. Для схем з трансформаторною топологією вказано розрахункові значення для визначення балансуючого струму. На підставі аналізу схемних рішень, чисельно визначено і доведено ефективність використання схемних рішень на основі індуктивних буферних елементів. Потужні акумуляторні батареї для систем електричного живлення використовуються у вигляді стеків, що складаються з послідовно-паралельного з’єднання одиничних накопичувачів. Під час їх експлуатації виникає проблема нерівномірного розряду або заряду, для компенсації якої необхідно виконувати балансування рівнів напруги в акумуляторах стеку. Безпека використання електрохімічних накопичувачів вимагає застосування спеціалізованих балансуючих пристроїв. Найбільш ефективними, з енергетичної точки зору, є системи активного балансування. Аналіз математичної моделі роботи двох типів буферних елементів (ємнісного та індуктивного) дозволив дати якісну оцінку їх ефективності. Перші, в порівнянні з індуктивними - не тільки мають гірші енергетичні характеристики, але і не дозволяють виконувати «масштабування» пристрою без істотного ускладнення системи управління. Амплітудне значення струму у схемах з ємнісним буферним елементом обмежене лише внутрішніми паразитними опорами елементів схеми, тому, при відносно великому значенні розбалансування, в елементах схеми (в тому числі акумуляторних батареях) виділяється значна величина енергії втрат у вигляді теплової енергії, що негативно позначається на параметрах акумуляторної батареї. Амплітудне значення струму в схемі на основі індуктивних буферних елементів обмежене величиною індуктивності. Воно може бути розраховане на етапі проектування пристрою. Крім того, забезпечення системою керування переривчастого режиму роботи перетворювача дозволяє зменшити комутаційні втрати в силових ключах схеми і дозволяє підвищити ефективність роботи в цілому. При великій кількості накопичувачів (більше трьох) слід віддати перевагу трансформаторним системам балансування, як окремого випадку індуктивної топології.Документ Методичні вказівки до лекційних зайнять з дисципліни "Оптоелектронні прилади"(ТОВ "Друкарня Мадрид", 2021) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Веретеннікова, Юлія Ігорівна; Хрипунов, Геннадій СеменовичОптоелектроніка - це дисципліна, що вивчає фізичні принципи управління оптичними та електронними процесами в різних матеріальних середовищах з метою передачі, прийому, обробки, зберігання і відображення інформації. Для оптоелектроніки характерний синтез ідей багатьох природничо-наукових дисциплін (фізики твердого тіла, напівпровідникової і квантової електроніки, оптики та ін.). Проте вона являє собою цілісну науку, що має власний напрям досліджень і використовує для вирішення зазначених завдань ряд фундаментальних фізичних явищ. Основний напрямок сучасної оптоелектроніки - управління інформаційними процесами в мікро- та наноструктурах, тобто прагнення до інтеграції джерел, приймачів і елементів управління випромінюванням в єдиному кристалі або гібридній структурі. Основним принципом оптоелектроніки є використання в якості матеріального носія інформації поряд з електроном електрично нейтрального фотона. Однак на відміну від звичайної електроніки і оптики в оптоелектроніці можлива зміна носія інформації в процесі обробки сигналу.