(Астропринт, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.
Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.
