Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
111 результатів
Результати пошуку
Документ Исследование процессов комплексной переработки и утилизации систем на основе концентрированной нитратной кислоты(Ноулідж, 2013) Пономарев, В. А.; Гринь, Григорий ИвановичДокумент Исследование возможностей интенсификации процессов вытяжки с применением дополнительного силового воздействия на фланец заготовки(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Пепеляев, В. А.; Левченко, Владимир НиколаевичДокумент Влияние высоковольтного постоянного потенциала смещения на структуру и свойства многослойного композиционного материала MoN/CrN с разной толщиной слоев(2016) Гранкин, С. С.; Береснев, В. М.; Соболь, Олег Валентинович; Литовченко, С. В.; Столбовой, Вячеслав Александрович; Колесников, Д. А.; Мейлехов, Андрей Александрович; Постельник, Анна Александровна; Торяник, И. Н.Исследованы влияния высоковольтного постоянного потенциала смещения, давления азотной атмосферы и толщины слоев на фазовый и элементный составы, структуру и механические свойства композиционных многослойных покрытий CrN/MoN, полученных вакуумно-дуговым испарением в атмосфере азота. Установлено, что при уменьшении толщины слоев от 200 до 15 нм при практически неизменном фазовом составе твердость снижается с 34 до 13 ГПа, что можно связать с повышением удельного вклада неравновесных границ. При меньшей толщине слоев, около 5 нм, происходит увеличение твердости, а адгезионная прочность достигает высокого значения (187,17 Н) критической точки разрушения покрытия. Обсуждены возможные механизмы зафиксированного повышения механических свойств покрытия.Документ Использование смеси газов (C₂H₂+N₂) для получения высокотвердых карбонитридных покрытий на основе молибдена(Сумський державний університет, 2017) Береснев, В. М.; Соболь, Олег Валентинович; Погребняк, Александр Дмитриевич; Литовченко, С. В.; Мейлехов, Андрей Александрович; Немченко, У. С.; Столбовой, Вячеслав Александрович; Евтушенко, Наталья Сергеевна; Колесников, Д. А.; Ковалева, М. Г.; Мазилин, Б. А.; Маликов, Л. В.; Проценко, З. Н.; Дощечкина, И. В.Изучено влияние рабочего давления и соотношение компонент смеси газов (C2₂H₂+N₂) на элементный и фазовый составы, структуру и физико-механические характеристики формируемых вакуумно-дуговых покрытий на основе вольфрама. Показано, что для высокотемпературного применения, нитриды менее предпочтительны по сравнению с карбидами. В температурном интервале осаждения 400-550 °С в результате плазмо-химических реакций при составе газовой атмосферы 80% C2₂H₂+20% N₂ максимальное содержание атомов азота в покрытии не превышает 1,5 ат.%. Для состава 40% C2₂H₂+60% N₂ максимальное соотношение N/C (в ат.%) повышается до 10,5 % при максимальном давлении 3х10⁻³ Торр. Относительное содержание атомов азота увеличивается с повышением давления смеси. Плазменно-химические реакции при осаждении в смеси газов приводят к формированию фаз с нанометровым размером кристаллитов и фазовым составом на основе y-MoC (80% C₂H₂+20% N₂) и фаз y-MoC и y-Mo₂N (при меньшем содержании C₂H₂ (40% C₂H₂+60% N₂) в газовой смеси. Установлено, что определяющим фактором повышения твердости является рабочее давление смеси газов при осаждении. При наибольшем давлении 3х10⁻³ Торр, когда формируется текстура [100] нанокристаллитов карбида молибдена (y-MoC) достигается сверхтвердое состояние с твердостью 50,5 ГПа.Документ Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением(Український державний хіміко-технологічний університет, 2011) Огурцов, Александр Николаевич; Близнюк, Ольга Николаевна; Масалитина, Наталья ЮрьевнаВ рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.Документ Структура и механические свойства вакуумно-дуговых покрытий CrN И CrN/TiN(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Приходько, М. Ю.; Тараник, А. Ю.; Соболь, Олег ВалентиновичДокумент Исследование процесса наполнения и опорожнения цилиндра паровоздушного штамповочного молота(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2014) Соболь, Марина Александровна; Даниленко, Виктор ЯковлевичДокумент Теплообмен в системе применения СОЖ шлифовальных станков(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Степанов, Михаил Сергеевич; Литовченко, Петр Иванович; Иванова, Марина Сергеевна; Иванова, Л.Тепловые процессы, проходящие в шлифовальных станках, оказывают большое влияние на качество и точность обрабатываемой поверхности. При этом, важную роль в формировании тепловых потоков играет система применения СОЖ, каждый элемент которой оказывает определенное воздействие на температуру СОЖ и шлифовального станка в целом. В данной статье рассмотрена структурная схема передачи тепла в элементах системы применения СОЖ. Предложены математические зависимости для определения количества теплоты, выделяемой при прохождении СОЖ через каждый элемент системы, учитывающие ее гидравлические параметры. Определены те элементы системы применения СОЖ, которые оказывают наибольшее влияние на температуру СОЖ. Предложена методика определения теплового баланса в системе применения СОЖ, учитывающая её структурные, конструктивные, режимные параметры, а также другие факторы процесса шлифования.Документ Влияние температуры на прочность теплообменных труб паровых котлов(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Ефимов, Александр Вячеславович; Ромашов, Юрий Владимирович; Каверцев, Валерий ЛеонидовичДокумент Влияние количества отводящих патрубков на потерю давления в камере отбора(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Лапузин, Александр Викторович