Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением
Дата
2011
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Український державний хіміко-технологічний університет
Анотація
В рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.
Опис
Ключові слова
электронные возбуждения, температура, давление, ван-дер-ваальсовые кристаллы
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146.