Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
12 результатів
Результати пошуку
Документ Зміна параметрів монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів під дією неоднорідного магнітного поля(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Самофалов, Володимир Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій СеменовичДокумент Мінімізація кутової залежності вихідних параметрів вертикальних діодних комірок для багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Панін, А. І.; Хрипунов, Геннадій СеменовичДокумент Моделювання вихідних параметрів кремнієвих фотоперетворювачів з базовими кристалами і-типу провідності(Сумський державний університет, 2014) Кіріченко, Михайло ВалерійовичПроведено експериментальне дослідження та моделювання із використанням програми PC1D вихідних параметрів лабораторних зразків фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію і-типу електропровідності. Встановлено, що використання базових кристалів і-типу електропровідності в умовах опромінення АМ0 дозволяє отримувати рекордно високі значення густини фотоструму, котрі сягають 48,6 мА/см². Проте їх коефіцієнт корисної дії не перевищує 11,6 %. Для розробки фізично обґрунтованого підходу до оптимізації конструктивно-технологічних рішень проаналізовано електронну модель кремнієвого фотоелектричного перетворювача з p⁺-i-n⁺ структурою. В ході апробації моделі було одержано серію діаграм розподілу значень коефіцієнта корисної дії досліджуваних фотоелектричних перетворювачів з p⁺-i-n⁺ структурою залежно від значень послідовного і шунтувального опорів при густині діодного струму насичення 10⁻⁷ А/см², 10⁻⁸ А/см2 та 10⁻⁹ А/см². Наявність таких діаграм при проведенні розробки високоефективних фотоперетворювачів зазначеного типу дозволить не тільки суттєво зменшити витрати на пошукові дослідження, але й забезпечить досягнення необхідного у кожному конкретному випадку оптимального співвідношення між витратами на покращення діодної структури та підвищеним рівнем коефіцієнта корисної дії таких приладів.Документ Залежність ефективності роботи кремнієвих фотоелектричнихперетворювачів від впливу стаціонарного магнітного поля(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2012) Лук'янова, Г. О.; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир РомановичДокумент Сенсори для систем оптичної локації на основі багатоперехідних кремнієвих фотоперетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Куца, Н. В.; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман ВалентиновичДокумент Залежність ефективності роботи багато-перехідних кремнієвих фотоперетворювачів від умов попередньої обробки у магнітному полі(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Кіндяков, С. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир РомановичДокумент Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.Документ Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2010) Zaitsev, R. V.; Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Lukyanov, E. O.; Khrypunov, G. S.; Samofalov, V. N.It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.Документ Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface(Астропринт, 2009) Kirichenko, M. V.; Kopach, V. R.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A.The results of output parameters dependences researches for multijunction silicon photovoltaic converters (PVC) upon solar radiation incidence angle on their receiving surface are presented. It has been shown that for improving of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals as well as the optical reflection coefficient for metal/Si boundaries (interfaces) inside multijunction PVC, while for using multijunction PVC in the optical location systems the forced reduction of these values is reasonable.Документ Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module(Луцький національний технічний університет, 2017) Zaytsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Zaytseva, L. V.; Veselova, N. V.Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.