Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
7 результатів
Результати пошуку
Документ DC magnetron sputtering method for obtaining nanoscale semiconductor films(Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України, 2021) Sokol, Yevgen I.; Dobrozhan, Andrii; Meriuts, Andrey; Khrypunova, AlinaIt has been carried out the experimental studies of the process of semiconductor direct current magnetron sputtering, and the impact of a magnetron sputtering mode on optical properties of solar cell functional layers. In order to create thin-film solar cells based on CdTe, thin films for the base layers of thin film solar cells was obtained on flexible polyimide and glass substrates by direct current magnetron sputtering. It has found that obtained by DC magnetron sputtering method ZnO and CdS nanoscale thin films and CdTe layers have optimal optical properties for obtaining thin film solar cells based on CdS/CdTe heterosystem.Документ Hybrid photoenergy installation development(2018) Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Krypunov, G. S.; Zaitseva, L. V.The current problem is the autonomous supply thermal energy and hot water for civilian and military consumers. The most commonly used for this purpose are installations based on solar thermal collectors, which at the same time require an external power source up to 100 W for electronic control components and a circulating pump, which does not allow them to be fully considered as autonomous. One of the ways to solve this problem is to combine in one installation solar panels and heat collectors. It has been proposed the constructive technological solution of the hybrid photoenergy system with flexible solar cells based on cadmium telluride, which allows getting the total efficiency of such a system up to 73% for the transformation of solar energy into heat and electric energy.Документ The influence of physical and technological magnetron sputtering modes on the structure and optical properties of CdS and CdTe films(Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова, 2017) Khrypunov, G. S.; Kopach, G. I.; Harchenko, M. M.; Dobrozhan, A. I.To create technology for preparation of CdS and CdTe thin films by direct current magnetron sputtering, the influence of physical and technological condensation modes on the crystal structure and optical properties of these films were investigated. The laboratory method of DC magnetron sputtering with preheating of the target for the mentioned films on glass substrates was developed. We obtained the CdS layers with hexagonal structure 150…200 nm thick under conditions when the plasma discharge current density was 1.1 mA/cm² and the deposition rate – 30…40 nm/min. The bandgap in the obtained CdS films is Eg = 2.38…2.41 eV. After annealing in vacuum, the optical transparence of CdS films reaches 80…90%, which allows to use these films as a transparent window layer in solar cells based on heterojunctions of CdS/CdTe. When the plasma discharge current density is 2.2…5.4 mA/cm² and the deposition rate is 200 nm/min, we obtained CdTe layers with hexagonal structure up to 5 μm thick. The transmittance of CdTe films with hexagonal structure in the wavelength range of the visible spectrum is up to 5%, and in the infrared spectral range is about 60%. The bandgap in the obtained CdTe layers of different thickness is 1.52…1.54 eV. After chloride treatment as a result of the phase transition wurtzite-sphalerite, the investigated CdTe films contain only the stable cubic structure and can be used as a base layer of solar cells.Документ Структура і оптичні властивості плівок CdTe, отриманих методом магнетронного розпилення(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2016) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій ІгоровичДля створення промислової технології отримання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації методом магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що при тиску інертного газу Рарг = 0,9-1 Па, струмі розряду I = 80 мА і напрузі на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe методом магнетронного розпилення на постійному струмі на протязі 25 хв. дозволяє отримувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4900-5100 нм і ширина забороненої зони 1,52‑1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектру. Після "хлоридної" обробки і послідуючого відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцитсфалерит отримані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію.Документ Structure and Optical Properties CdS and CdTe Films on Flexible Substrate Obtained by DC Magnetron Sputtering for Solar Cells(Сумський державний університет, 2017) Kopach, G. I.; Mygushchenko, R. P.; Khrypunov, G. S.; Dobrozhan, A. I.; Harchenko, M. M.The paper describes investigate of crystal structure and optical characteristics of the CdS transparent window layers and the CdTe base layers, obtained by direct current magnetron sputtering on glass or polyimide substrate, and output parameters the flexible thin film solar cells based on them. The band gap in obtained hexagonal CdS films is Eg = 2.38-2.41 eV and optical transparency of CdS films is 80-90%. Conducting chloride treatment of CdTe layers, obtained at Tп < 300 °C, promotes wurtzite-sphalerite phase transition. Cooling ITO/CdS layers to room temperature before CdTe deposition, removal of the air and subsequent heating in vacuum to the required temperature of the substrate leads to an increase of the energy conversion efficiency and open circuit voltage of the polyimide/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag flexible solar cell.Документ Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола МихайловичДосліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.Документ Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій ВолодимировичДосліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.