Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
8 результатів
Результати пошуку
Документ A study of an effect of the parameters of niobium-based ion cleaning of a surface on its structure and properties(PC тесhnology сеntеr, 2017) Postelnyk, H. O.; Knyazev, S.; Meylekhov, A. A.; Stolbovoy, V. A.; Kovteba, D. V.The paper describes using techniques of structural engineering in a comprehensive study of the effects of the negative displacement potential, nitrogen and argon pressures, as well as the distance from a sample to the cathode on the processes of sputtering and depositing. In practice, it is highly important to obtain steel surfaces with high mechanical properties and low roughness. The highest microhardness is manifested at the highest degree of sputtering on the samples at Ub=–1,300 V. It has been determined that the presence of nitrogen in the vacuum chamber shifts the equilibrium point of sputtering and depositing towards a higher Ub. It has been established that the presence of argon in the ion bombardment process increases the sputtering rate, whereas the presence of active nitrogen gas reduces the deposition rate due to nitride formations on the surface. The point “sputtering-depositing” shifts: in the case of Ar (from Ub=–350 V to Ub=–200...–300 V) when the RN increases from 0.002 Pa to 0.66 Pa, respectively. In the case of nitrogen, when PN increase from 0.02 Pa to 0.08 Pa, the point shifts from Ub=–400 V to Ub=–600 V (at a distance of 300 mm from the cathode to the sample).Документ Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.Документ Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Приближенный расчет основных характеристик плазмы при воздушном электрическом взрыве металлического проводника(НТУ "ХПИ", 2017) Баранов, Михаил Иванович; Рудаков, Сергей ВалерьевичПриведены результаты приближенного расчета максимальных значений температуры Tm, давления Pm и скорости vm распространения ударной волны в «металлической плазме», образующейся при воздушном электрическом взрыве (ЭВ) тонкого металлического проводника под воздействием большого импульсного тока (БИТ). Показано, что при ЭВ в атмосферном воздухе тонкого медного проводника в разрядной цепи высоковольтного генератора БИТ микросекундного временного диапазона максимальные значения температуры Tm, давления Pm и скорости vm в локальной зоне ее взрыва могут достигать соответственно нескольких десятков тысяч градусов Кельвина, сотен технических атмосфер и тысяч метров в секунду. Сформулированы возможные пути получения в разрядной цепи мощной конденсаторной батареи высоковольтного генератора БИТ «рекордных» значений температуры Tm, давления Pm и скорости vm.Документ Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичИсследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.Документ Физические модели обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичПредложены физические модели появления обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях воздействия электромагнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичПроведен анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Квантовомеханическая модель поглощения электромагнитных волн проводником и явление его электрического взрыва(НТУ "ХПИ", 2005) Баранов, Максим Михайлович; Баранов, Михаил ИвановичНа основе принципов квантовой механики предложена приближенная математическая модель, описывающая пространственно-временные распределения максимальной температуры в тонком нагреваемом и электрически взрывающемся проводнике (ЭВП) с током проводимости большой плотности и в плазменных продуктах после его электрического взрыва. Выдвинута и научно обоснована гипотеза о возникновении в ЭВП с током проводимости и в инициируемом им сильноточном плазменном канале искрового разряда макроскопических волновых электронных пакетов, формируемых соответственно свободными электронами материала ЭВП и электронами образующейся плазмы.