Теплопровідність напівпровідникових твердих розчинів PbTe–PbSe

Abstract

Отримано температурнi залежностi теплопровiдностi напiвпровiдникових твердих розчинiв PbTe–PbSe (0-3 мол.% PbSe) в iнтервалi 170-670 К. Встановлено, що всi кривi мають спiльний екстремальний характер з мiнiмумом в областi температур 400-450 К. Проведено оцiнку внескiв фотонної, електронної, бiполярної та граткової складових у загальну теплопровiднiсть. Розраховано степеневий коефiцiєнт у температурнiй залежностi теплопровiдностi. Залежнiсть степеневого коефiцiєнту вiд вмiсту PbSe має немонотонний характер, який пояснюється наявнiстю фазового переходу вiд розбавлених до концентрованих твердих розчинiв.Temperature dependences of thermal conductivity of semiconductor solid solutions PbTe–PbSe (0-3 mol.% PbSe) in the range 170-670 were obtained. It was established that all the curves have an extreme nature witha minimum in the temperature range 400-450 K. The contribution of photon, phonon, bipolar and lattice components in the overall thermal conductivity was evaluated. The index in power dependence of temperature dependences of thermal conductivity was estimated. The composition dependence of this index has a nonmonotonic character explained by the presence of a phase transition from dilute to a concentrated solid solution.