Виготовлення базових шарів гнучких сонячних елементів методом осадження у квазізамкненому об'ємі плівок сульфіду та телуриду кадмію

Abstract

Експериментальними дослідженнями критичних температур конденсації при осадженні плівок сульфіду та телуриду кадмію в квазізамкненому об'ємі визначені режими, в яких осадження відбувається в умовах близьких до термодинамічно рівноважних, а температура підкладки нижче температури термодеструкції поліімідних плівок фірми Upilex. Для технічної реалізації цих умов розроблена адаптована до існуючого вакуумного обладнання підприємств електронної промисловості технологічна оснастка, що дозволяє в єдиному технологічному циклі послідовно осаджувати шари сульфіду і телуриду кадмію в умовах близьких до термодинамічно рівноважних. При температурі осадження 434 °С на поліімідних підкладках з плівковим шаром ITO поверх якого нанесений нанорозмірний прошарок ZnO були отримані шари CdS товщиною 0,3 мкм стабільної гексагональної модифікації. На поверхні шарів CdS при температурах нижче 440 °С були сформовані шари CdTe товщиною 4 мкм стабільної кубічної модифікації. Досягнуті параметри кристалічної структури плівок сульфіду та телуриду кадмію, виготовлених методом квазізамкненого об’єму дозволяють використовувати такі напівпровідникові шари в якості базових при розробці високоефективних гнучких сонячних елементів.