Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe

Loading...
Thumbnail Image

Date

item.page.doi

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Наука

Abstract

Эффект хранения в течение 48 месяцев и субпоследовательное действие напряжения прямой полярности на КПД тонкопленочных солнечных элементов с исходным n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au слоистую структуру изучали методами токовольтажные и емкостные характеристики. На основе этих результатов улучшена физическая модель такого типа солнечных батарей деградация клеток под действием указанных факторов. Условия, обеспечивающие частичное восстановление солнечных элементов эффективность после их деградации под действием прямого вытеснения напряжение n−p гетероперехода меньше напряжения холостого хода солнечных батарей определяются экспериментально.
The effect of storage for 48 mounths and the subsequent action of the forward polarity voltage on the effeciency of thin-film solar cells with n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au initial layered structure were studied by the methods of the current- voltage and capacity-voltale characteristics. Basis on these results it has been improved the physical model of such type solar cells degradation under the influence of mentioned factors. The conditions which to enable for partial recovering of solar cells efficiency after their degradation by effect of displacement direct voltage of n−p heterojunction smaller that voltage of open circuit of solar cells are experimentally determined.

Description

Citation

Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe / Г. С. Хрипунов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45, вып 11. – С. 1564-1570.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By