Дослідження дифузійної довжини нерівноважних носіїв заряду в базових шарах телуриду кадмію

Abstract

Тонкоплівкові зразки телуриду кадмію були виготовлені за допомогою термічного вакуумного випарювання з метою дослідження дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. Аналіз початкового стану проводили за допомогою рентгеноструктурних досліджень телуриду кадмію, конденсованого на скляних підкладках. Аналіз виявив два дифракційних відбиття, що відповідають віддзеркаленням сімейств кристалографічних площин (111) і (333). Проведені електронографічні та мікроскопічні дослідження. Для дослідження електрофізичних властивостей тонких плівок телуриду кадмію застосовано метод спектральної залежності малосигнальної поверхневої фотоелектричної напруги. Підсумовуючи, плівкові структури телуриду кадмію, отримані термічним вакуумним випаровуванням, демонструють електрофізичні та електричні параметри, нижчі за монокристалічний телурид кадмію. Ці характеристики, зокрема низька дифузійна довжина неосновних носіїв і короткий час загасання електричного сигналу, роблять такі плівкові структури придатними для використання в пристроях, що вимагають тривалої стабільності під впливом часу, екстремальних температур, електричних полів і випромінювання. Thin film samples of cadmium telluride were obtained using thermal vacuum evaporation to study the diffusion length of minority charge carriers. Initial state analysis was conducted through X-ray structural studies of cadmium telluride condensed on glass substrates. The analysis revealed two diffraction reflections corresponding to the crystallographic planes (111) and (333). Conducted electronographic and microscopic studies. The method of spectral dependence of small-signal surface photovoltage was employed to investigate the electrophysical properties of cadmium telluride thin films. In conclusion, cadmium telluride film structures produced by thermal vacuum evaporation exhibit electrophysical and electrical parameters inferior to monocrystalline cadmium telluride. These characteristics, particularly the low diffusion length of minority carriers and short electrical signal decay times make such film structures suitable for use in devices requiring long-term stability under the influence of time, extreme temperatures, electric fields, and radiation.