Analysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPershyn, Yuriy P.en
dc.contributor.authorVoronov, D. L.en
dc.contributor.authorZubarev, Evgeniy N.en
dc.contributor.authorSevryukova, V. A.en
dc.contributor.authorKondratenko, V. V.en
dc.contributor.authorVaschenko, G.en
dc.contributor.authorGrisham, M.en
dc.contributor.authorMenoni, C. S.en
dc.contributor.authorRocca, J. J.en
dc.contributor.authorVinogradov, A. V.en
dc.contributor.authorArtyukov, I. A.en
dc.contributor.authorUspenskii, Yu. A.en
dc.date.accessioned2022-06-27T18:28:48Z
dc.date.available2022-06-27T18:28:48Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractСпецифічні структурні зміни в багатошарах (МШ) Sc/Si, опромінених наносекундними одиночними лазерними імпульсами 46,9 нм з флюенсом 0,04-5,00 Дж/см2, досліджено методами СЕМ та поперечної ТЕМ. Встановлено, що порогове пошкодження становить 0,08 Дж/см2. ML плавиться під впливом потоку F >0,08 Дж/см2, і починається екзотермічна реакція утворення силіциду. Обговорюються основні механізми деградації ML. Результати цього дослідження можуть бути використані для розробки передових багатошарових дзеркал, здатних працювати в умовах інтенсивного випромінювання когерентних джерел рентгенівського випромінювання нового покоління.uk
dc.identifier.citationAnalysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors [Electronic resource] / Yu. P. Pershyn [et al.] // Springer Proc. in Physics. – 2007. – Vol. 115. – X-Ray Lasers 2006 / edited by P. V. Nickles and K. A. Janulewicz, – Electronic text data. – Dordrecht (The Netherlands) : Springer, 2007. – P. 563-569. – URI: https://www.researchgate.net/publication/226998995_Analysis_of_469-nm_Pulsed_Laser_Radiation_Aftereffects_in_ScSi_Multilayer_X-Ray_Mirrors/link/0fcfd5045abdca356c000000/download, free (accessed 27.06.2022).en
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1007/978-1-4020-6018-2_72
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57506
dc.language.isoen
dc.publisherSpringeren
dc.subjectнаносекундні одиночні лазерні імпульсиuk
dc.subjectcпецифічні структурні зміниuk
dc.subjectімпульсне лазерне випромінюванняuk
dc.subjectекзотермічна реакція утворення силіцидуuk
dc.titleAnalysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrorsen
dc.typeThesisen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Pershyn_Analysis_of_46.9_nm_pulsed_2007.pdf
Розмір:
865,71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
11,25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"