Analysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorPershyn, Yuriy P.en
dc.contributor.authorVoronov, D. L.en
dc.contributor.authorZubarev, Evgeniy N.en
dc.contributor.authorSevryukova, V. A.en
dc.contributor.authorKondratenko, V. V.en
dc.contributor.authorVaschenko, G.en
dc.contributor.authorGrisham, M.en
dc.contributor.authorMenoni, C. S.en
dc.contributor.authorRocca, J. J.en
dc.contributor.authorVinogradov, A.V.en
dc.contributor.authorArtyukov, I. A.en
dc.contributor.authorUspenskii, Yu. A.en
dc.date.accessioned2022-06-27T18:28:48Z
dc.date.available2022-06-27T18:28:48Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractSpecific structural changes in Sc/Si multilayers (MLs) irradiated by nanosecond 46.9-nm single laser pulses with fluences of 0.04-5.00 J/cm2 were studied by methods of SEM and cross-sectional TEM. The threshold damage was found to be 0.08 J/cm2 The ML melts down under the fluence F >0.08 J/cm2 and the exothermic reaction of silicide formation starts. Main degradation mechanisms of MLs are discussed. The results of this study can be used for development of advanced multilayer mirrors capable handling the intense radiation conditions of new generation coherent X-ray sources.en
dc.description.abstractСпецифічні структурні зміни в багатошарах (МШ) Sc/Si, опромінених наносекундними одиночними лазерними імпульсами 46,9 нм з флюенсом 0,04-5,00 Дж/см2, досліджено методами СЕМ та поперечної ТЕМ. Встановлено, що порогове пошкодження становить 0,08 Дж/см2. ML плавиться під впливом потоку F >0,08 Дж/см2, і починається екзотермічна реакція утворення силіциду. Обговорюються основні механізми деградації ML. Результати цього дослідження можуть бути використані для розробки передових багатошарових дзеркал, здатних працювати в умовах інтенсивного випромінювання когерентних джерел рентгенівського випромінювання нового покоління.uk
dc.identifier.citationAnalysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrors [Electronic resource] / Yu. P. Pershyn [et al.] // Springer Proc. in Physics. – 2007. – Vol. 115. – X-Ray Lasers 2006 / edited by P. V. Nickles and K. A. Janulewicz, – Electronic text data. – Dordrecht (The Netherlands) : Springer, 2007. – P. 563-569. – URI: https://www.researchgate.net/publication/226998995_Analysis_of_469-nm_Pulsed_Laser_Radiation_Aftereffects_in_ScSi_Multilayer_X-Ray_Mirrors/link/0fcfd5045abdca356c000000/download, free (accessed 27.06.2022).en
dc.identifier.doidoi.org/10.1007/978-1-4020-6018-2_72
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57506
dc.language.isoen
dc.publisherSpringeren
dc.subjectlaser radiationen
dc.subjectspecific structural changesen
dc.subjectsingle laser pulsesen
dc.subjectmethods of SEMen
dc.subjectнаносекундні одиночні лазерні імпульсиuk
dc.subjectcпецифічні структурні зміниuk
dc.subjectімпульсне лазерне випромінюванняuk
dc.subjectекзотермічна реакція утворення силіцидуuk
dc.titleAnalysis of 46.9-nm Pulsed Laser Radiation Aftereffects in Sc/Si Multilayer X-Ray Mirrorsen
dc.typeThesisen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Pershyn_Analysis_of_46.9_nm_pulsed_2007.pdf
Розмір:
865.71 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"