Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe

Abstract

При кімнатній температурі досліджено залежність коефіцієнта термо-електронно-рушійної сили (термо-е.р.с.) від товщини тонких плівок PbTe (d = 10-450 нм), які були виготовлені методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди при температурах 380 та 530 К. Досліджувались плівки з покриттям для захисту від окиснення і без захисного покриття. Отримані товщинні залежності проаналізовано із урахуванням впливу різних чинників, що визначають тип провідності, який простежено у тонких плівках PbTe – зміна стехіометрії тонкої плівки при зміні температури підкладки, процеси окиснення, зміна складу шихти в процесі випаровування.

Room-temperature dependences of the thermoelectric power on the thickness (d = 10-450 nm) of PbTe thin films prepared by the thermal evaporation in vacuum of ntype crystal PbTe on the mica substrates at the temperatures of 380 and 530 К were investigated. The films with and without protected covering were studied. Obtained thickness dependences were analyzed taking into account the different factors which determined the conductivity type in PbTe thin films – change of the thin film stoichiometry under change of the substrate temperature, the oxidation processes, change of the charge composition during evaporation.