Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения
dc.contributor.author | Кравченко, Владимир Иванович | ru |
dc.contributor.author | Яковенко, Игорь Владимирович | ru |
dc.date.accessioned | 2014-10-03T07:07:11Z | |
dc.date.available | 2014-10-03T07:07:11Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.description.abstract | Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Определены механизмы генерации колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях воздействия стороннего электромагнитного излучения. | ru |
dc.description.abstract | The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor superstructure have been determined. | en |
dc.identifier.citation | Кравченко В. И. Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2014. – № 21 (1064). – С. 84-87. | ru |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9162 | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | НТУ "ХПИ" | ru |
dc.subject | излучение импульсное | ru |
dc.subject | элементы проводящие | ru |
dc.subject | ток | ru |
dc.subject | колебания | ru |
dc.subject | частицы заряженные | ru |
dc.subject | поток | ru |
dc.subject | electromagnetic radiation | en |
dc.subject | semiconductor superstructure | en |
dc.title | Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения | ru |
dc.title.alternative | Failure mechanism of semiconductor components under the influence of external electrical radio electromagnetic radiation | en |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- vestnik_HPI_2014_21_Kravchenko_Mekhanizmy.pdf
- Розмір:
- 338.41 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.23 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: