Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS

Abstract

З метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.

In order to create a new design of the solar cell (SC) with nanostructured one-dimensional (1-D) ZnO layer sensitized by quantum dots (QDs) SnS, we used pulsed electrodeposition of 1-D ZnO arrays. The application of SnS quantum dots and wide bandgap semiconductor p-CuSCN thin film have been made by a liquid-phase Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method,. The work investigated morphology, structure and optical properties of the semiconductor layers and demonstrated diode characteristics of a new design SE on QDs we have developed, that confirmed its functionality.