Поверхностные состояния электронов на неоднородной поверхности твердых тел

Abstract

Определен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверх- решеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного поля. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.

The mechanism of the appearance of surface electronic states on a periodically irregular boundary of conducting solids is determined. The mechanisms of occurrence of the instability of the eigen oscillations of semiconductor superlattices due to their interaction with the flows of charged particles under the conditions of the influence of the external electromagnetic field are determined. It is shown that the influence of pulsed electromagnetic radiation is accompanied by the appearance of currents in conducting elements of products and the appearance of their internal fields. magnetic radiation. A new mechanism for the appearance of surface electronic states on the uneven surface of conducting solids has been developed. The influence of inhomogeneous properties of surfaces of conducting solids in emitting structures on the spectral characteristics of the transition and Cherenkov radiation is investigated. The theory of collision-free damping of surface polaritons in quantum and classical approximations is developed