Полирование монокристаллических материалов для оптоэлектронной техники

Abstract

В результате исследования закономерностей полирования плоских поверхностей оптико-электронных элементов из монокристаллического карбида кремния и сапфира показано, что в качестве критериев эффективности полирования целесообразно использовать энергию переноса, максимальные значения которой соответствуют минимальной шероховатости, и коэффициенты шероховатости, определяющие минимально допустимые значения высотных параметров.As a result of studies of regularities polishing flat surfaces of optoelectronic components of single crystal silicon carbide and sapphire shown that as polishing performance criteria appropriate to use the energy transfer, the maximum values of which correspond to the minimum roughness and roughness coefficients that determine the minimum permissible altitude parameters.