Исследование инерционных характеристик фоторезисторов в физическом практикуме

Abstract

Полупроводниковые фоторезисторы находят широкое применение в различных устройствах фотопреобразователей, особенно там, где необходим широкий диапазон спектральной чувствительности и/или значительная мощность рассеивания. Одной из основных характеристик, влияющей на инерционность и фоточувствительность фоторезисторов, является среднее время жизни неравновесных носителей заряда, возникающих под действием света. Определение данного параметра в требуемом диапазоне освещенностей для каждого конкретного фоторезистора необходимо при регистрации переменных световых потоков. С точки зрения фундаментальной науки, экспериментальное изучение фотопроводимости позволяет студентам инженерных специальностей понять основы зонной теории и физические процессы, возникающие при взаимодействии электромагнитного излучения с полупроводником. Традиционно, для исследования фотопроводимости используется осциллограф и модулированный по амплитуде световой поток, что не позволяет автоматизировать процесс измерения и требует дополнительных габаритных элементов для формирования переменного светового потока (генераторы или прерыватели). Поэтому создание современной компактной автоматизированной установки для индивидуального изучения явления фотопроводимости в физическом практикуме является актуальным.