Dependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thickness

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMenshikova, S. I.en
dc.contributor.authorRogacheva, E. I.en
dc.contributor.authorSipatov, A. Yu.en
dc.contributor.authorFedorov, A. G.en
dc.date.accessioned2019-01-25T14:59:57Z
dc.date.available2019-01-25T14:59:57Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractEffect of film thickness d on electrical conductivity σ of n-Bi₂Se₃ thin films (d = 25-420 nm) prepared by thermal evaporation in vacuum onto glass substrates was investigated. It was established that the electrical conductivity increases with increasing of the thin films thickness. The observed effect is explained as a manifestation of the classical size effect connected with diffuse scattering of electrons at the thin film interfaces. The experimental σ(d) dependence is satisfactorily described using the Fuchs-Sondheimer theory for the film thickness d > 60 nm. The specularity parameter and value of electrons mean free path are determined based of the experimental data.en
dc.identifier.citationDependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thickness / S. I. Menshikova [et al.] // Functional Materials. – 2017. – Vol. 24, No 4. – P. 555-558.en
dc.identifier.doidoi.org/10.15407/fm24.04.555
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/39353
dc.language.isoen
dc.publisherInstitute for Single Crystalsen
dc.titleDependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thicknessen
dc.title.alternativeЗалежність електропровідності від товщини тонких плівок Bi₂Se₃uk
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2017_Menshikova_Dependence_of_electrical.pdf
Розмір:
170.25 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Природничі науки"
Кафедра "Фізика"