Вплив температури на положення точки інверсії типу провідності у кристалах Bi100-хTeх

dc.contributor.authorНовак, К. В.uk
dc.contributor.authorРогачова, Олена Іванівнаuk
dc.date.accessioned2023-01-28T17:55:33Z
dc.date.available2023-01-28T17:55:33Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationНовак К. В. Вплив температури на положення точки інверсії типу провідності у кристалах Bi100-хTeх / К. В. Новак, О. І. Рогачова // Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров'я = Information technologies: science, engineering, technology, education, health : тези доп. 27-ї міжнар. наук.-практ. конф. MicroCAD–2019, [15-17 травня 2019 р.] : у 4 ч. Ч. 1 / ред. Є. І. Сокол. – Харків : НТУ "ХПІ", 2019. – С. 357.uk
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-7584-656X
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/61787
dc.language.isouk
dc.publisherНаціональний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"uk
dc.subjectтверді розчиниuk
dc.subjectтелурид вісмутуuk
dc.subjectBi100-хTeхen
dc.subjectкоефіцієнт Зеєбекаuk
dc.subjectзалежності S(T)uk
dc.subjectінверсіяuk
dc.subjectтемпературні залежностіuk
dc.subjectтермоелектричні (ТЕ) матеріалиuk
dc.titleВплив температури на положення точки інверсії типу провідності у кристалах Bi100-хTeхuk
dc.typeThesisen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
MicroCAD_2019_Ch_1_Novak_Vplyv_temperatury.pdf
Розмір:
328.73 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: