Особенности получения стеклокристаллических материалов с низким ТКЛР в системе PbO-ZrO2-R2O3-SiO2

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2014

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Видавець

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Анотація

В статье рассмотрена возможность создания стеклоприпоев с низким коэффициентом линейного расширения и температурой наплавления для спаивания деталей микроэлектроники с высоким содержанием кремния. Установлены области стеклообразования в системе PbO–B2O3–Al2O3–ZrO2–SiO2 и характер распределения значений коэффициента линейного расширения стекла. Синтезированы образцы стекол, определена их способность к кристаллизации. Получены образцы стеклоприпоев и исследованы их технологические свойства. Сделаны выводы о возможности практического применения синтезированных стеклоприпоев.
The article considers the possibility of creating a frit with a low coefficient of linear expansion and fusing temperature for soldering components of microelectronics with high silicon content. The areas of glass formation in the system PbO-B2O3-Al2O3-ZrO2-SiO2 and the distribution of values of the coefficient of linear expansion of the glass. Synthesized glass samples and determined their ability to crystallize. Samples frit and explore their technological properties. Conclusions about the practical application of the synthesized frit.

Опис

Ключові слова

легкоплавкие стекла, стеклоприпой, стеклоформующая система, кристаллическая фаза, коэффициент расширения, температура спаивания, glas frit, glass forming system, crystalline phase, coefficient of expansion, soldering temperature

Бібліографічний опис

Воронов Г. К. Особенности получения стеклокристаллических материалов с низким ТКЛР в системе PbO-ZrO2-R2O3-SiO2 / Г. К. Воронов // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Инновационные исследования в научных работах студентов. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2014. – № 49 (1091). – С. 145-149.