Контактные температуры при шлифовании термобарьерного покрытия ZRO₂ кругами из синтетических сверхтвердых материалов
Loading...
Date
Authors
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
НТУ "ХПИ"
Abstract
Предметом исследования является моделирование процесса шлифования напылённого керамического слоя для управления контактными температурами и остаточными напряжениями в напыленном слое на основе диоксида циркония при шлифовании алмазными и эльборовыми кругами. Показано, что при глубинах шлифования порядка 0,03 мм температура шлифования практически вся поглощается напылённым слоем без теплового воздействия на основной металл.
The subject of the study is the simulation of the process of grinding of a sprayed ceramic layer to control contact temperatures and residual stresses in this layer based on zirconium dioxide when grinding with diamond and borazon wheels. It is shown that at grinding depths of the order of 0.03 mm, the grinding temperature is practically all absorbed by the deposited layer without thermal influence on the base metal.
The subject of the study is the simulation of the process of grinding of a sprayed ceramic layer to control contact temperatures and residual stresses in this layer based on zirconium dioxide when grinding with diamond and borazon wheels. It is shown that at grinding depths of the order of 0.03 mm, the grinding temperature is practically all absorbed by the deposited layer without thermal influence on the base metal.
Description
Citation
Лебедев В. Г. Контактные температуры при шлифовании термобарьерного покрытия ZRO₂ кругами из синтетических сверхтвердых материалов / В. Г. Лебедев, О. В. Фроленкова // Резание и инструменты в технологических системах = Cutting & tools in technological systems : междунар. науч.-техн. сб. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2018. – Вып. 88. – С. 118-123.
