Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Сумський державний університет

Анотація

Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.
Електронно-мікроскопічними та рентгенографічними методами досліджені особливості росту нанорозмірних шарів силіциду магнію у багатошаровому рентгенівському дзеркалі Si/Mg2Si у вихідному стані та після відпалу. Встановлено, що у вихідному стані шари силіциду магнію являють собою аморфну матрицю з включеннями нанокристалічної фази Mg2Si у метастабільній гексагональній модифікації. Формування силіциду магнію у гексагональній модифікації відбувається під впливом механічних напружень, джерелом яких є шари кремнію. Відпал багатошарового рентгенівського дзеркала Si/Mg2Si при T = 723 К призводить до кристалізації та рекристалізації силіциду магнію з аморфної фази, що супроводжується зменшенням періоду рентгенівського дзеркала на 7.3 %.
Features of magnesium siliced layer growth in Si/Mg2Si multilayers in initial state and after thermal annealing were studied by methods of transmission electron microscopy and X-Ray scattering. Asdeposited magnesium silicide layers are amorphous with nanocrystal inclusions of metastable h-Mg2Si. Formation of Mg2Si in hexagonal modification occurs under the influence of stress produced by silicon layers. At T = 723 К Mg2Si layers finished crystallizes in hexagonal modification, with some coarsening of grains. That is accompanied with 7.3 % reduction in period of the Si/Mg2Si multilayer.

Опис

Бібліографічний опис

Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si / Л. Е. Конотопский [и др.] // Журнал нано- та електронної фізики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2016. – Т. 8, № 2. – С. 02021-1–02021-6.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в