Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОгурцов, Александр Николаевичru
dc.contributor.authorМасалитина, Наталья Юрьевнаru
dc.contributor.authorБлизнюк, Ольга Николаевнаru
dc.date.accessioned2013-09-09T13:28:16Z
dc.date.available2013-09-09T13:28:16Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThe process of photoelectron inelastic scattering in rare gas solids as one of the channels of defect-forming local centers population in radiation technology of materials modification by irradiation was studied. Three types of photoelectron inelastic scattering and correspondent threshold energies were determined.en
dc.identifier.citationОгурцов А. Н. Моделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучением / А. Н. Огурцов, Н. Ю. Масалитина, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2011. – № 1. – С. 41-45.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2050
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectобработка материаловru
dc.subjectмодификация кристаллической структурыru
dc.subjectрадиационное облучениеru
dc.subjectнеупругие процессыru
dc.subjectнеупругое рассеяниеru
dc.subjectфотоэлектроныru
dc.subjectаргонru
dc.subjectфотовозбуждение кристалловru
dc.titleМоделирование неупругого рассеяния фотоэлектронов в радиационной технологии модификации материалов облучениемru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
ITE_2011_1_Ogurtcov_Modelirovaniye neuprugogo.pdf
Розмір:
429.09 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
6.73 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра "Інтегровані технології, процеси і апарати"
Кафедра "Біотехнологія, біофізика та аналітична хімія"
Кафедра "Фізична хімія"