Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией
Дата
2010
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способность силового кабеля напряжением 110 кВ.
In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.
In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.
Опис
Ключові слова
кабели высокого напряжения, потери в полупроводящих экранах, дендриты, выравнивание напряженности, тангенс угла, power cable, semiconducting screen, dielectric permeability, electric resistance, dielectric dissipation
Бібліографічний опис
Беспрозванных А. В. Обоснование электрофизических характеристик
полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А. В. Беспрозванных, Б. Г. Набока, Е. С. Москвитин // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2010. – № 3. – С. 44-47.