Исследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинца

dc.contributor.authorВодорез, Ольга Станиславовнаru
dc.contributor.authorПинегин, Владимир Ивановичru
dc.contributor.authorРогачева, Елена Ивановнаru
dc.date.accessioned2022-06-28T19:49:53Z
dc.date.available2022-06-28T19:49:53Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.citationВодорез О. С. Исследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинца / О. С. Водорез, В. И. Пинегин, Е. И. Рогачева // Фізичні явища в твердих тілах : матеріали 9-ої Міжнар. конф. (1-4 грудня 2009 р.) / ред.: В. С. Криловський, В. П. Пойда. – Харків : ХНУ, 2009. – С. 112.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57526
dc.language.isoru
dc.publisherХарківський національний університет імені В.Н. Каразінаuk
dc.subjectдефектообразованиеru
dc.subjectполупроводниковые твердые растворыru
dc.subjectтеллурид свинцаru
dc.subjectвисмутru
dc.subjectлегирующиу добавкиru
dc.subjectгомогенностьru
dc.titleИсследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинцаru
dc.typeThesisen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Vodorez_Issledovanie_mehanizma_2009.pdf
Розмір:
211.95 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: