Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОрлова, Дарья Сергеевнаru
dc.contributor.authorРогачева, Елена Ивановнаru
dc.contributor.authorСипатов, А. Ю.ru
dc.contributor.authorВолобуев, В. В.ru
dc.contributor.authorФедоров, А. Г.ru
dc.date.accessioned2021-04-16T12:05:43Z
dc.date.available2021-04-16T12:05:43Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПри комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).ru
dc.description.abstractThe influence of thickness (d = 7-300 нм) on the electrical conductivity s of the epitaxial thin films which were prepared by thermal evaporation of Bi-Sb solid solution crystals with the Sb concentration 9 at.% in the vacuum (10-5-10-6 Pa) onto mica substrates was studied at the room temperature. It was established that the growth of the film thickness up to d ≈ 200 nm caused a monotonic increase of the electrical conductivity, after that the thickness growth didn’t change the s value, i.e. the classical size effect was presented. Analysis of experimental data in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory allowed to estimate the mean free path of electrons (l = 900±50 нм) and the surface scattering coefficient (p = 0.55±0.05).en
dc.identifier.citationЗависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины / Д. С. Орлова [и др.] // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Сер. : Фізика : зб. наук. пр. – Харків : ХНУ, 2018. – № 915, вип. 14. – С. 60-64.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52198
dc.language.isoru
dc.publisherХарківський національний університет ім. В. Н. Каразінаuk
dc.subjectэпитаксиальные тонкие пленкиru
dc.subjectдлина свободного пробега электронаru
dc.subjectпараметр зеркальностиru
dc.subjectтеория Фукса-Зондгеймераru
dc.subjectelectrical conductivityen
dc.subjectepitaxial thin filmsen
dc.subjectmean free path of electronsen
dc.subjectsurface scattering coefficienten
dc.titleЗависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщиныru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
visnyk_KhNU_2010_915_14_Orlova_Zavisimost.pdf
Розмір:
592.29 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Фізика"