Экспериментальное исследование трёхуровневого инвертора напряжения с квази-импедансным звеном на входе
Вантажиться...
Дата
Автори
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
В работе представлены результаты экспериментальных исследований трёхуровневого инвертора напряжения с квази-импедансным звеном на входе. Применение современной полупроводниковой элементной базы позволило достичь высокого коэффициента полезного действия и низкого уровня гармонических искажений в широком диапазоне входного напряжения. За счёт высокой частоты коммутации транзисторов удалось существенно снизить массогабаритные показатели при условии режима непрерывного входного тока.
The results of experimental investigation of three-level voltage inverter with quasi-impedance-source input network are presented in this work. The application of modern semiconductor element base allowed high efficiency and low total harmonic distortion to be achieved in a wide range of input voltage. Due to high switching frequency of transistors it became possible substantially reduce weight and size parameters under continuous input current mode
The results of experimental investigation of three-level voltage inverter with quasi-impedance-source input network are presented in this work. The application of modern semiconductor element base allowed high efficiency and low total harmonic distortion to be achieved in a wide range of input voltage. Due to high switching frequency of transistors it became possible substantially reduce weight and size parameters under continuous input current mode
Опис
Бібліографічний опис
Степенко С. А. Экспериментальное исследование трёхуровневого инвертора напряжения с квази-импедансным звеном на входе / С. А. Степенко // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 1 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета "Харьковского- политехнического института". – С. 74-83.