Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия

dc.contributor.authorКравченко, Владимир Ивановичru
dc.contributor.authorСерков, Александр Анатольевичru
dc.contributor.authorБреславец, Виталий Сергеевичru
dc.contributor.authorЯковенко, Игорь Владимировичru
dc.date.accessioned2016-01-11T09:59:01Z
dc.date.available2016-01-11T09:59:01Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractИсследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.ru
dc.description.abstractThe power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor superstructure have been determined. New mechanism of excitation of surface magnitoplasma of oscillations by the moving radiation source are suggested. The development of theory of interaction of microwave electromagnetic oscillations and charged particles in bounded plasma-like media and the study of kinetic and hydrodynamic beam instabilities in solid – like structures applied in the present microwave electronics is proposed. The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. A new mechanism of initiation of surface at uneven of the conducting solid bodies is proposed. A theory of collisionless damping of surface plasmas in quantum and classical appreciations is elaborated and the conditions of its conversion are determined. The effect of inhomogeneous properties of surface of open radiating structures on the spectral characteristics of transition radiation is studies. It is found that the energy losses related to excitation of volume helicons are equivalent to the energy losses of a magnetic moment created due to the charge rotation.en
dc.identifier.citationМоделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия / В. И. Кравченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2015. – № 51 (1160). – С. 56-59.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19114
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectколебанияru
dc.subjectплазмаru
dc.subjectсверхрешеткиru
dc.subjectбезстолкновительное угасаниеru
dc.subjectгенерированиеru
dc.subjectoscillationsen
dc.subjectplasmaen
dc.subjectsemiconductor superlatticesen
dc.subjecthidrodinamic instabilityen
dc.subjectgenerationen
dc.titleМоделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействияru
dc.title.alternativeModeling of physical mechanisms of the occurrence of irreversible refusals of semi-conductor devices under an electromagnetic influenceen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
vestnik_HPI_2015_51_Kravchenko_Modelirovanie.pdf
Розмір:
383.81 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: