Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe

dc.contributor.authorХрипунов, Геннадій Семеновичuk
dc.contributor.authorЛісачук, Георгій Вікторовичuk
dc.contributor.authorКудій, Дмитро Анатолійовичuk
dc.date.accessioned2014-03-22T15:18:02Z
dc.date.available2014-03-22T15:18:02Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractСпосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe, що являє собою спосіб ідентифікації варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х на міжфазній границі досліджуваної гетеросистеми CdS/CdTe, шляхом аналізу її оптичних властивостей, який відрізняється тим, що аналізують товщину та склад варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х, шляхом розділення досліджуваного зразка скло/ITO/CdS/CdTe на дві частини, для однієї частини проводять "хлоридну" обробку, після чого обидва зразки скло/ITO/CdS/CdTe одночасно травлять у розчині брому в метанолі до товщини [0,8-1] мкм, потім досліджують спектри пропускання та відбиття зразків скло/ITO/CdS/CdTe у спектральному діапазоні (810-850) нм, розраховують спектр поглинання та різницю поглинання досліджуваного зразка скло/ІТО/CdS/CdTe до та після проведення "хлоридної" обробки, різницю поглинання досліджуваного зразка порівнюють з різницею поглинання еталонного зразка скло/ITO/CdS/CdTe до та після проведення "хлоридної" обробки, за результатами проведених оптичних досліджень роблять висновок про можливість відбраковувати на початковому технологічному етапі партію продукції сонячних елементів після візуального оптичного зіставлення досліджуваної приладової гетеросистеми скло/ITO/CdS/CdTe з еталонноюuk
dc.identifier.citationПат. 65024 Україна, МПК G01J 3/50 ; Y01L 21/66. Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe [Текст] / Г. С. Хрипунов, Г. В. Лісачук, Д. А. Кудій ; Нац. тех. ун-т "Харківський політехнічний інститут". – № u201105014 ; заяв. 20.04.2011 ; публ. 25.11.2011, Бюл. № 22. – 8 с. : іл.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4962
dc.language.isouk
dc.publisherНТУ "ХПІ"uk
dc.subjectпатентиuk
dc.subjectкорисна модельuk
dc.subjectгеліоенергетикаuk
dc.titleСпосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTeuk
dc.typeTechnical Reporten

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2011_Khrypunov_Patent_65024.pdf
Розмір:
420.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
6.73 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: