Гальваномагнiтнi властивостi плiвок PbSe з домiшкою хлору

Abstract

Показано, що впровадження домішки PbCl2 у кристали PbSe змінює тип провідності з p- на n-, дозволяє отримати високi концентрації електронiв порівняно зi стехіометричним PbSe та знижує рухливість електронiв внаслідок зростання розсіяння носіїв заряду на домішкових дефектах. Встановлено, що методом термічного випаровування в вакуумi кристалiв PbSe, легованих PbCl2, можна отримувати тонкі плівки PbSe з високою концентрацією електронiв. При наявності захисного шару Al2O3 в плівках PbSe<PbCl2> коефіцієнт Холла менший, ніж у плівці без захисного шару.

It was shown that the introduction of PbCl2 impurity in PbSe crystal changes the type of conductivity from p- to n-, allows to get the high electron concentration compared with stoichiometric PbSe and reduces electron mobility due to an increased scattering of charge carriers by defects of impurity and crystal structure. It was established that the thermal evaporation in vacuum of PbSe crystal, doped with PbCl2, allows to obtain PbSe thin films with high electron concentration. It was found that the value of the Hall coefficient in the PbSe<PbCl2> films with Al2O3 protective layer is lower than the Hall coefficient in film without a protective layer.