Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов

Abstract

Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час- тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер- дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.

Existing physical models of mechanisms of influence of external electromagnetic radiation on the efficiency of semiconductor devices in the field of irreversible failures are investigated. It is shown that the effect of pulsed electromagnetic radiation on electric products is often accompanied by the emergence of currents in the leading elements of products and the formation of their internal fields. A mechanism for the appearance of surface electronic states on uneven boundaries of conducting solid media is proposed. The mechanisms of occurrence of instability of eigen oscillations of semiconductor superstructures, determined by their interaction with the flows of charged particles under conditions of external electromagnetic radiation, are determined. The influence of inhomogeneous surface properties in radiating structures on the spectral characteristics of the transition and Cherenkov radiation is investigated.