Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов

dc.contributor.authorКравченко, Владимир Ивановичru
dc.contributor.authorЯковенко, Игорь Владимировичru
dc.contributor.authorВаврив, Людмила Владиславовнаru
dc.date.accessioned2018-12-19T11:25:37Z
dc.date.available2018-12-19T11:25:37Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractИсследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час- тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер- дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.ru
dc.description.abstractExisting physical models of mechanisms of influence of external electromagnetic radiation on the efficiency of semiconductor devices in the field of irreversible failures are investigated. It is shown that the effect of pulsed electromagnetic radiation on electric products is often accompanied by the emergence of currents in the leading elements of products and the formation of their internal fields. A mechanism for the appearance of surface electronic states on uneven boundaries of conducting solid media is proposed. The mechanisms of occurrence of instability of eigen oscillations of semiconductor superstructures, determined by their interaction with the flows of charged particles under conditions of external electromagnetic radiation, are determined. The influence of inhomogeneous surface properties in radiating structures on the spectral characteristics of the transition and Cherenkov radiation is investigated.en
dc.identifier.citationКравченко В. И. Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко, Л. В. Ваврив // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – № 36 (1312). – С. 33-36.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/39035
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectэлектромагнитные поляru
dc.subjectнеобратимые отказыru
dc.subjectнеустойчивостьru
dc.subjectсобственные колебанияru
dc.subjectповерхностные волныru
dc.subjectelectromagnetic fieldsen
dc.subjectoscillationsen
dc.subjectinstabilityen
dc.subjectcharged particlesen
dc.subjectradiationen
dc.titleВлияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборовru
dc.title.alternativeThe Effect of Electromagnetic Radiation on Оperability of Semiconductor Devicesen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
vestnik_KhPI_2018_36_Kravchenko_Vliyanie_elektromagnitnogo.pdf
Розмір:
356.2 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.28 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: