Компьютерная модель процесса низкотемпературного осаждения металлических пленок из атомно-ионных потоков
Вантажиться...
Дата
2013
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
The simulation algorithm of the formation of metallic thin films at low temperatures was proposed. Using this algorithm test simulations of copper thin film deposition of were made. The obtained simulation results are in agreement with the available experimental data.
Разработан алгоритм моделирования формирования металлических тонких плёнок при низких температурах. При помощи данного алгоритма были проведены тестовые расчеты осаждения тонкой пленки меди. Полученные результаты моделирования находятся в согласии с имеющимися экспериментальными данными.
Разработан алгоритм моделирования формирования металлических тонких плёнок при низких температурах. При помощи данного алгоритма были проведены тестовые расчеты осаждения тонкой пленки меди. Полученные результаты моделирования находятся в согласии с имеющимися экспериментальными данными.
Опис
Ключові слова
моделирование математическое, динамика молекулярная, алгоритм вычислительный, расчеты тестовые, медь, mathematical modeling, molecular dynamics, calculation algorithm
Бібліографічний опис
Куценко А. С. Компьютерная модель процесса низкотемпературного осаждения металлических пленок из атомно-ионных потоков / А. С. Куценко, И. И. Марченко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Системный анализ, управление и информационные технологии. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2013. – № 3 (977). – С. 153-158.