Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей

Abstract

Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.

The investigated values of solar cells (SC) output and diode parameters made on the basis of and n-type of conductivity silicon base crystals with a thickness from 190 to 375 μm are presented. By comparison of SC output and diode parameters with base crystals of various thickness and type of conductivity the expediency of high efficiency Ukrainian SC creation for terrestrial application with the single crystals of n- type conductivity and thickness no more then 190-200 μm is grounded.