Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей

Abstract

Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.It is shown that to increase the efficiency and to improve manufacturability of one-junction single crystal silicon photovoltaic converters of solar energy it is necessary to use backsurface reflector on the base of conducting transparent indiumtin oxide (ITO) 0.25−2 μm thick. For the efficiency increase and reduction of sensitiveness to angle of light incidence on the photoreceiving surface of multi-junction photovoltaic converters with vertical diode cells on the base of single crystal silicon it is essential to create along the vertical borders of diode cells reflectors from ITO/Al with ITO layer thickness more than 1 μm. The experimental studies fulfilled on the multi-junction photovoltaic converters with ITO/Al reflectors on the borders of the diode cells shown that the technique of ITO layers preparation needed modernization to obtaine ITO layer thickness close to the theoretical value.